俄歇电子能谱的研究固体材料的化学状态.pdfVIP

—— 坌堑垡兰塑堕塾生垫些 俄歇电子能谱研究固体材料的化学状态 朱永法 姚文清 n-t-,J、燕曹立礼 (清华大学化学系北京100084) 关键词俄歇电子能谱固体材料化学价态 元素的化学状态对材料的物理化学性能起着决定性的作用。目前，分析固体材料化学状态 的最好和晟实用的方法是X射线光电子能谱(XPS)。但XPS在一些固体材料的分析方面还存在 难以解决的困难，如有不少元素的XPS结合能对化学环境不敏感，元素化学价态的变化对结合 能的影响很小，难以进行化学状态的测定。l比外，对于现代高技术功能薄膜材料，不仅要了解材 料表面元素的化学状态，更需要了解各膜层阻及膜层之间界面元素的化学状态，而对于这些信息 的获取，XPS具有很大的局限性。俄歇电子能谱由于具有很强的微区分析和深度分析能力．在 材料的界面分析上具有很大的优势。通过俄歇电子能谱的线形分析，可以获取材料的界面化学状 态信l扣,21。本文主要研究俄歇电子能谱在界面化学价态分析上的应用。 1实验原理 由于俄歇电子跃迁过程涉及到3个原子轨道能级，其化学位移要比XPS的化学位移大得多， 其俄歇化学位移可咀用下面的方程来描述： f l一11 m … 舡州z)=(Kw—Kx—xr)x{函+∑”T堕二马【I—e一03e2—÷I 25(¨a’J}_n一￡-I “。[XA-Xal l “J 该式表明俄歇化学位移不仅与元素的形式电荷QA、相邻元素的电负性差有关，而且同离子的极 化效应有关。一般元素的化合价越正，俄歇电子动能越低．化学位移越负；对于电负性大的元素． 可以获得部分电子而荷负电，俄歇化学位移为正，俄歇电子的能量比纯态要高。由于弛豫能项为 负值，因此对正离子，极化作用使得俄歇动能降低．俄歇化学位移增加。对于负离子，极化作用 使得俄歇动能降低．俄歇化学位移降低。 2结果与讨论 图1为经600℃真空热退火处理lh后铬，金刚石样品的深度剖析图。与原始样品相比，发 现金属铬层与金刚石间发生了强烈的界面扩散。从表面到界面150rim厚的膜层中，铬与碳的浓 度比几乎保持不变．其比例为2：l。扣除氧化物后，可认为在膜层内形成了组成均一的cbc碳 化物层。从图上还可见，大量单质碳已扩散进入cr2c层中。但从俄歇深度剖析圈上还不能直观 了解到界面层的化学状态。 图2是在不同深度处的Cr ev LM：，Mn俄歇线形谱。纯铬和ergO,只有一个峰，分别位于485．7 eV 和480．6oV，由Cr cV处的峰较强，480．6 L2M∞M∞俄歇跃迁过程产生。cr2C]有两个峰，484．6 处峰则很弱。溅射60nm后(碳化物层)，样品的俄歇峰形与碳化物cbc，的明显不同，表明生 成了另一种碳化物。从深度剖析的结果也可知．新的碳化物Cr／C比为2：l，可能为Cr2C物种。 cV的峰大幅度增强． 同时，其俄歇线形与cr2c，及CrC的线形有较大的差别：俄歇动能为480．0 nm(界面)后，俄歇线形 与c啦的电子结构有关。激发了CrkM。M。的跃迁选律。溉射150 舟析化学的成就与挑战