聚焦离子束在外延生物氮化镓薄膜失配位错研究中应用.pdfVIP

电于显截学报 J．Chin．Electr．M证roBc．Soc 19(4)t503～5042000年 503 聚焦离子束在外延生长氮化镓薄膜 失配位错研究中的应用 王岩国 (中霹科学虎抽理研究所北京电子五蕞奠赛■堂，北京100080) 蠢化簟具有直接能量带琼(3．4eV)适台用作短波长发光嚣件，具有非常广泛的应用前量“一．氯化 锋■■(年度均为蛸I量圾)的制备一般均采用异质处延生长的方法．由于受曼I衬底材料的矗囊(膏用 的村赢为三篡化=馅，单乓硅，砷化镍等)．使村底材料与外廷尊篡在蠡傩锚构和钧理性质方霹有席差 异，如量囊参t的不同和热膨胀系数的差异。这些差异在外延生长的薄膜中引起失配应力和应变．当 外廷葬囊的摩度达到临界厚度时，外延薄膜中的失配应力和应变均选到报大值。魅壤外延生长麓过临 界厚度时，就会在外延蓐膜中引入失配位错来释放失配应力，降低失配能量。失配应力及失配俺量的 释放是一十I和■外廷薄膜厚度的增加而曩慢进行的过程。在薄膜曲外延生长垒过程中始终宥爰袅失 }●{I，j．{●-{}‘：；I{；!；i 配应力和应变存在，奠着外延薄膜厚度的增加，残泉失配应力和虚变不断的被拜放出来，必将不断的 在外延鼻篡中引入失配位锗和结构缺陷．因此尊雕的卦鼍生长蛙翟，同时也是失配位螬和培构蟪箱不 群的产生，发晨和空化的过程o]。全面地了鼻失配位鬻和绪构蛱陷曲显擞结扮，分布爰其变化，对于制 z{1‘l-．， 备质量优良的异质外延生长功能薄膜具有十分重要的意义。 通常舶透射电镜样品制备过程包括机械蕞葬和离子轰击产生电子柬可穿透的暮区。其中机攮碱 薄的精度约为10脚，它决定了可选择的材料显徽结构分析区域精度。对于厚度慢为坤1量缓的苒一 显然无法翻鲁垂直于藤面法线方向的平面样品。目前：畴1憾薄膜大多是制备蠢薅样品进行量擞螭构分 折，或只供观察薄膜表面的平面样品。截面样品所提供的囊褰区域小，无祛了解失配位簟和结构缺骼 的触‘蓑滚舞垒位峙精度取决于仪器柏分势聿L． 量曩．剐E其定偿黼度完全可达舅雀犀塞势pm 早面样品啪． 奉并宠中t蘑鹣羹亿≮尊臃是丰葺用疹麒向生长洼■鲁的．走蜜Mo明耀‘摩羹密摹鸯者00∞1] 的兰氯化=姑树赢上生长耳虞约为1．5脚的氯佑簟蛙羹层，睫后在壤过t基上摄较一整囊塞釉摹裹 分嬲约为11及o．5呻a的二氯化硅表带，条错船[11∞]方向撵判，其闯蔫为4p衄，俸为盛舞生长区壤 的圈案。照过一曩抛的表面清洗后，进行俺翻生长。生长温度为1000℃·压力为1．33×10．Pt．氯化 簟的生长■度约为4pm。然后进行第二衣穗篝生长区壤圈橐制作，它与前攻的噩素完全朝捌，其墨囊 向相对参动了7pm，使得二氯霓硅秉带与第一次图案中舶空蛱处重台。第二次生长的氯祀t耳囊为 2岬1．圈l量藏蕾样品的显擞像，给出了所■鲁氯化锋尊蔗的形貌。固中标示的四十不同蓐虞区壤是 选舞■鲁电t平蓐样品拉量，它们分刷位于氯记簟过羹层的顶部，邻近第一层=氧化硅蓉带魁，掌近 第二层二氯化毽采带处及第二次选彝生长区壤中甩表犀约0．5岫处．从大块样品上切翻下一足寸为 3∞×1岫盼长方形样品，并抒三曩化二懈树魔方冉进行机械藏尊至5雎m以下，用环囊穰一麟搴 有缺口的直径为3mm懈或钼■上，待树精度墨化后，艘人囊■膏子柬仪静进行《囊洋膏棒叠柏■鲁． 所使用的囊蕉离子柬为日立一2000A型．加速电压为30kV．得蓟的平面样品可供观捌的冒积为10pm ×zo坤1．氟化t具有六方和立方两种晶体螭掏。在四个不同的厚度位量得翻的电子衍髫啊宠垒橹囊·