晶体硅太阳电池吸杂工艺地研究.pdfVIP

晶体硅太阳电池吸杂工艺的研究 林安中，王学建 (北京有色金属研究总院，北京100088) 文摘：对具有位错的单晶硅太阳电池进行磷吸杂的研究并与无位错的电池片进 行对比，位错片具有较明显的吸杂效果。对吸杂工艺的作用进行了分析。 ，关键词：吸杂，位错，磷 0引言 近年来吸杂工艺再度受到重视，包括三氯氧磷吸杂及铝吸杂工艺。吸杂工 艺已经在微电子器件工艺中使用，可见其对纯度达到一定水平的硅片仍具有作 用。但其所用的条件未必适用于太阳电池，因而要研究适合太阳电池专用的吸 杂工艺．而太阳电池用的太阳级硅片，所含的杂质含量较高。经过吸杂后能否 达到预定的效果， 将随所用材料而有所不同。我们曾进行过多晶硅太阳电池的 二次扩散的吸杂研究I“。是将多晶硅片在870℃扩散45分钟后，表面再经过绒 面腐蚀，去除扩散层，再进行一次扩散。从统计的结果来看其具有增进材质性 能的效果，但此效果很小，有时在工艺上干净度等处理不当就看不出来了。因 而要进一步进行研究，寻找出更佳的吸杂条件。在我国目前大量使用的还是单 晶硅太阳电池，能否在这种样品上进行吸杂工作也是具有意义的事。但要考虑 的因素为国产的太阳级单晶硅片可能其中的氧、碳含量偏高，此含量是经过吸 杂作用降不下来的，因而会掩盖吸杂作用的影响或使其作用复杂化。 在多晶硅 太阳电池上研究c2】已有数据证明不同的材料其吸杂作用是不同的，特别是碳含量 高的材料其就显不出磷吸杂的作用．此外工业化生产的太阳电池都不是在高纯净． 的环境及工艺条件下进行， 电池器件工艺的污杂度如过大也会掩盖吸杂作用的 效果。 总的来说，多晶硅太阳电池由于存在晶界及缺陷，杂质的含量也较多， 吸杂作用对其应有较大的应用潜力。多晶硅中的位错含量一般在10s这一数量 级，为了研究缺陷对吸杂作用的影响，我们使用了具有位错的单晶硅片与常规 片进行对比。 有学者p】提出的磷吸杂模型，吸杂的速率受控于两个步骤(1)金属杂质的释 放，扩散决定了吸杂温度的下限．(2)分凝模型控制了吸杂的最佳温度．另有学者141 提出在磷扩散时硅的自间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素，磷层中费米能 级加强的溶解度对吸杂效应具有贡献。 一8一 1吸杂工艺及实验结果 采用(100)晶向的P型太阳级单晶硅片，首先经过清洗腐蚀，采用POCl3在 高于扩散温度的条件下进行高温吸杂处理。经过吸杂处理过的单晶硅片再使用 绒面腐蚀后经过87012扩散后制作太阳电池，太阳电池的电级制作是采用丝网 印刷工艺，经过吸杂的与未吸杂的对比用硅片同时进行扩散及后续的电池工艺， 以排除工艺参数变化所造成的影响。所得结果见表1。表1中吸杂工艺的条件 为900℃，半小时。其结果显示在常规的太阳级单晶硅电池中吸杂的作用不明 显．但在实验中有的炉次的效率会得到3％的增益，在900℃的1小时或2小时 处理也会得到少量的增益．表2及表3显示有位锗的太阳级单晶硅太阳电池吸 杂作用的情况，其增益的情况较稳定与明显．在900℃的半小时的吸杂条件下， 位错片太阳电池比未吸杂电池片的开路电压的平均增益为0．4％，短路电流的平 均2．2％． 表1： 单晶硅太阳电池吸杂与未吸杂电池效率的对比 l电池 效率(％) 平均值(％) I未吸杂 o 13 13．1，130，12．8，131，130，13．0，131，130，13 『吸杂 13．2，12．9，13．1，13 13．1 0，13．2，132，13．1，13．3，13．1 表2：含位错单晶硅太阳电池吸杂与未吸杂电池效率的对比 含位错电池 效率(％) 平均值(％) 未吸杂 12．5，12．5，13．0，125，12．5，12．6，12．5，128， 12．6 12．5，12．8，12．8，13