原位合成纳米Ag掺杂PVP薄膜AFM研究.pdfVIP

电子曼t学报 J．Chin．EI托饥Mkro．Soc． 19(4)I477～47B2000年 477 金燕苹征茂平金国良顾明元 (上膏交通太学量^基置备橱井翻搴t点妾■室，上海200030) 纳米材辑近来庸为材料再所关注的热点，这是因为堆米材辩具有块雄材辩所不再鲁肟弦特 性质，其中一十主蔓的屎因是园其晶粒所产生的量子尺寸教应，这一救应在光学辱曩壤宥曩其重 要的应用．蚺米慑是金■纳米材料中量具代表性的材料之一．研究表明，利用蚋米银粒子●杂所 翻瞢的复音糖并再有较高的光激发率口3和极强的三阶非线性系数脚，所以近来对蚺米慑粒子的 研兜量再季常活肤．奉文在囊己烯毗咯烷一(PvP)的尊毒藏中原位合成了纳米Ag，采用麓潦法 在硅片上■鲁Ag参魏的ⅣP薄膜，用原予力显擞镜(AFM)对薄膜样是进行曩襄． 蜜t方诖 将一定量荫PVp藩解于乙奠中，得一透明的藩液，熬后取定量柏璃t■藩舞于上述囊合曲 潜藏|为膏止Ag+由于光化学的作用根快还原成Ag，藩液保存在暗处．在洁牵曲磋片上采用麓 豫法■鲁AI／n呻●蕻，所得样品在70℃烘干。 ■暴与讨论 ，}，；}；l，；●；{i；{}{．}{I，}i}；f! ■虞样品在70℃烘干，一方面是为了除去聋旗中残余的乙醇，增强聿蔗和善片之冈站台曩 度，另一目的墨使尊膜的强度增加，防止利用AFM的接麓模式来观豢尊奠的形麓耐，舒尖对较 软的尊■造赢簟杯．圈“a)、(b)是薄膜的AFM照片及其三维图像．从(b)中可以看出，(a)中■ 色较棵的区壤量一些直径大小不等的小孔洞，这些孔嗣与薄膜表面的高度差有200nm左右。台 费仪舅试裹明，薄膜的犀度为500nm，所以这些孔洞不是贯穿蔫腆的，印孔滑的下面不是基片本 身，雨是一层与周嗣不葡的东西。图1中鳙米Ag粒子未能曩寨刊，所以蚋米Ag粒子已被PVP 包裹，藤这些孔洞有可能就是由于Ag粒子的存在所引起。对上述薄膜样品在180℃处理，其 AFM屐片里圈2(a)，其中(b)是三堆图像。图2表明，经过燕处理后的尊蔗样品，其表面孔稠依 然存在，但从三维匝像中可明显地看出一些孔洞中的粒子的存在．热处理后薄奠的耀糙度有所蕞 小，遣是由于PVP的交叉链接(薄膜变得致密、更薄)和Ag粒子的长大(填充孔洞)两种效应共 同作用的结果。同时从三维田中也明显看出粒子梭聚合暂包裹着．对薄膜的寝收光谱测试表明， 膏曩的暖收光谱和尺寸为50nm Ag粒子的光谱一致”，量大暇收蟑在邻Onm处，说明薄膜中有 纳米Ag粒子存在，ⅣP的包囊未使嗳收光谱发生红移【I]。经180℃热处理后，薄膜的暖收光谱 发生虹移，量大嗳收峰在450nm处，这是固为热处理过程中，蚺米Ag粒子逐渐长大的靠敢．纳 l；}；}} 米Ag粒子的爱收峰位置与粒径大小有关，粒径麓大，暖收蜂位置越慵红口]。光学性能的涮试从 另一十方面证实了PvP聚合钉薄膜中纳米Ag粒子的存在，且随着热处理鼍度的挺高，纳米Ag 粒子运淅长大。 ◆膏文t 783—787． M．Rev．M0d．Phys．，1985，57(3)l [1]Mo矗。讯5 I，et 796—798． a1．J．Amer．cer眦．soc．-1996．79(3)I [2]T肛IIlIashi [3]事毫囊，司喷真，苗韵才．光子学报．1999·28(1)-94． 528． [归首相才．司啊真，陈■夫．光子拳撮，1999．28(6)t } ． ， L曹精P学产妇