用磁过滤MEVVA源注入与离子沉积技术合成优化表面层研究.pdfVIP

用磁过滤MEWA源注入和离子沉积技术合成优化表面层研究 昊瑜光”，张通和”，王广甫1’ ’离子束和材料改性教育部重点实验室，北京师范大学低能核物理研究所，北京市辐射中 心(北京师范走学低能棱物理研究所，北京100875) 2’北京师范大学分析测试中心，北京100875 摘要采用金属离子束磁过滤技术对引出金属离子柬中大颗粒离子进行过滤后，再在金属表 面、硅和聚合物表面进行离子注入和低能离子束沉积，可获得特性优异的沉积金属膜、超 硬膜(类金刚石，CN膜)、陶瓷膜(TiN，TiC等)。电子显微镜观察表明，大颗粒已被过 滤，表面结构致密。由于先进行离子注入，在基体表面预先形成了过度层，从而改善了沉 积膜的粘合特性，用划痕仪测量表明，镀膜与基体的粘合特性有了明显地提高。测量结果 表明，沉积膜的硬度、抗磨损和抗腐蚀特性均有了明显地提高。 关键词：磁过滤，离子沉积，聚合物，类金刚石膜，优化表面层。 1引言 磁过滤弧源沉积技术是在弧源沉积基础上发展起来的离子辅助沉积技术f1，2]。它是通 过阴极表面弧放电产生离子金属蒸气，从而形成等离子体而进行沉积的技术。这种新的弧 沉积制膜技术，具有许多优点，如膜的沉积速率快，膜的粘着力强，可获得厚膜，因此而 倍受欢迎。但是在弧沉积过程中，常常会引入大的颚粒沉积到膜中，会影响成膜的质量。 通过磁过滤，将等离子体中的犬颗粒中性物质滤掉．使等离子体中的离子沉积到衬底上， 从而克服了沉积过程中大颗粒对膜质量的损坏f31。这种方法具有沉积速度快．离子能量适 中，室温沉积等优点。所制备的薄膜致密，具有极其优异的性能。 目前，颇引人注目的是用金属蒸汽真空弧(MEWA)源技术研制的单源和多源磁过 滤弧源等离子体沉积系统。其主要特点是工作时弧漉可以从脉冲到直流连续变化，解决了 缝直流弧源沉积速率难咀控制的缺点。这种装置同时又可进行离子注入。而多源弧沉积装 置有多个弧源，可同时沉积多种元素，适用于化合物和多层薄膜的制备[4]。 磁过滤孤涌沉积可在金属、非金属、聚合物等表面生成较致密的薄膜，到目前为止， 还没有人用此方法进行材料的抗磨损性能研究。本工作试图用此方法在改善金属和聚合 物等表面性能方面做一些卡刀步的探索。 2实验方法 为了消除磁过滤弧源产生大颗粒对样品的污染，安装了磁过滤管道和增加了聚焦磁 场。用扫描电子显微镜(SEM)检验r磁过滤弧源对大颗粒过滤的效果。在磁过滤孤源 等离子体沉积系统，用金属Tl和w做阴极，用12KV的电压对聚台物基体表面进行溅 射清洗和Ti或w低能离子注入，以改善膜的致密性，然后再进行膜沉积，为了使沉积 膜具有良好的黏附性，在基体上加120V的负压。沉积厚度可根据需要，一般应太子6D Indentef)检验沉积膜表面的微硬 纳米，尽量减少基体的影响。用显微力学探针(Narto 度。用划痕仪测量沉积膜表面的抗磨损特性。用磁过滤弧源沉积系统，在硅基体上合成 非晶金刚石薄膜．用x射线光电子谱(XPS)分析了秽键所占的比例。 3．结果和讨论 3 1磁过滤管道和聚焦磁场对丈颗粒的过滤作用 为了检验磁过滤管道和聚焦磁场 对消除大颗粒污染的效果，我们在以下情况下制各了金属“薄膜，采用高纯金属Tj棒 本工作得到国家自然科学基金和国家863计划的资助。 ——107— 做阴极，衬底为单晶硅片。为了便于对污染程度进行比较，沉积膜的厚度均为100纳米。 一是没有磁过滤管道和不加聚焦磁场；二是没有磁过滤管道和加聚焦磁场：三是加磁过 滤管道和聚焦磁场。用扫描电子显微镜观察了上述三种情况下Ti膜的表面形貌，在无磁 过滤管道和聚焦磁场时，大量的大颗粒附着于沉积膜表面。污染严重，最大的颗粒直径 可达几个微米f加聚焦磁场后，大颗粒数目明显减少，尺寸也减小，但仍观察到相当数 量的颗粒，最大颗粒直径约1微米；而加磁过滤管道和聚焦磁场后，沉积膜上完全观察 不到大颗粒，薄膜质量庭好。如图1所示。 3．2聚酶薄膜上沉积哥和W金属膜聚酯(PET)膜是在电子工程