应用埋氧层注氮工艺对SIMOX+SOI材料辐射加固地研究.pdfVIP

——一一 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 ——————————————————————————————————————————————二_二_二——二_二二二二二——一 I MOXSO 应用埋氧层注氮工艺对S I材料辐射加固的研究 郑中山 刘忠立 张国强 李宁 李国花 (中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心，北京100083) 张恩霞张正选王曦‘ (中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050) 摘要：研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplanted 射性能的影响。实验采用Co一60源对由SIMOX SOl材料制作出的MOS电容进行辐照，并通过辐照前后高频C-V 曲线的平带电压漂移，计算了平带时辐射产生的Si02／Si界面处硅费米能级以上施主陷阱与界面附近氧化物空穴 陷阱的密度之和。实验发现，应用离子注入工艺，将一定剂薰的氮注入到SIMOX材料的埋氧层内能增强其抗辐 射能力。但在注氮剂量一定的情况下，注氮所用的注入能量将会对SIMOX材料的辐射加固效果产生较为显著的 影响。 关键词； SIMOX，SOI，离子注入，氮，抗辐射加固，Co．60，C．n平带电压 ICs)在抗单粒子事件翻转(SEU)及高剂量率瞬态辐照翻转效应方面具有显著的优势。这是因为 SOI材料中的埋层隔离一方面使器件的p-n结面积较小，从而降低了其收集电离电荷的能力；另 一方面也使埋层以下的衬底中的电离电荷不能进入器件的结区被收集【l】。然而，埋层的存在也使 器件的总剂量辐射加固变得相对复杂。当器件遭受电离辐射时，除在前栅氧化层与硅的界面处产 生界面陷阱并在界面附近产生空穴陷阱外，同样会在埋层(背栅氧化层)与硅的界面处及界面附 近产生相应的陷阱。被这些陷阱俘获的空穴将导致器件阈值电压的漂移。对于S01NMOSFET来 说，还可能导致在埋层与体的界面处形成导电的背沟道，从而使器件的漏电增力11121。有作者报道 过在埋氧层中注入一定量的氟来改善埋层的抗总剂量辐射能力【4J。鉴于在热生长的栅氧层中引入 适量的氮可起到抗辐射加固作用【5】。因此，我们在不同的注入能量下将一定剂量的氮注入到 SIMOX SOI材料的埋层中去，并由SⅡ订OX材料制作出MOS电容，然后，通过测量分析辐照前 后这些电容的高频C．V特性曲线的变化，对注氮埋层的辐射加固性能进行了初步的研究。 1 理论 图1是P型半导体情况下的理想MOS电容能带图。图中％(O)为外加栅压，鼠与日分 别为半导体的导带底与价带顶的电子能级，毋为半导体的费米能级，厨为半导体的本征费米能级， 虮与％分别为半导体的表面势和费米势。当野=0时，对应的栅压称为平带电压‰。此时，半 导体的表面电容即为半导体平带电容。平带电压时，理想MOS电容的电容值161： l， {一-FB：————j毫坠—专2——————————F2==522亏 t(1) s／NAql d七嬉ox|￡s)、Jlkre 32 ———————————————————————————————————————————__二一=二二二二二二_=二二二：：——一一． 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集 式中，CFB为平带电容，d为栅氧厚度，气与f。分 E c 别为栅氧与半导体的介电常数，k为玻尔兹曼常数， r表示温度，g为电予电量，M为P型半导体的受 主掺杂浓度，s为栅的面积。因为高频情况下半导