用于铁电存储器的PZT薄膜的MOD法制备、结构与性能的研究.pdfVIP

用于铁电存储器的PZT薄膜的MOD 法制备、结构和性能的研究 林殷茵汤庭鳌宋浩然黄维宁 上海市邯郸路220号复曰．大学电子1二程系微电子所200433 摘要采用MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的PzT薄膜，典型Pr、Ps、 Ec值分别为27H 析晶状态、晶粒尺寸和铁电性能有重大影响，析晶充分和大晶粒尺寸有利于获得较大的Pr 值，减小薄膜厚度有助于降低Ec值。 1．前言 铁电存储器的研制是近年来一个引人注目的研究热点。这是由于与传统的以集成电路 工艺为基础的半导体存储器相比，铁电存储器体现出显著的优越性。它具有非挥发性和 仅为105—10q。“。已有预言在不远的将米，铁电存储器会成为存储器技术的主流f“。 铁电存储器技术的发展也推动了铁电薄膜和薄膜器件的研究。目前铁电存储器虽已 开始进入实用化阶段，但为了进一步提高其性能，对铁电薄膜的制备技术、结构与性能的 芙系等更深层次的问题的研究就很重要。锆钛酸铅(Pbz娟。。O。简称PZT)是最重要的铁 电薄膜材料之一。目前制各PzT的主要技术有溅射h5i、激光闪蒸f“、化学气相沉积f7J以 及溶胶一凝胶法。溅射法是一种较成熟的薄膜制备技术，但化学计量比的控制困难，所 制备的PZT薄膜比溶胶一凝胶法制各的膜在开关状态使用时反转速度慢，膜层中似有较 多缺陷。激光闪蒸法淀积效率商，但仍有些问题未解决，如溶胶一凝胶PZT膜经过108一 10”开关循环后，剩余极化强度和矫顽场强因老化而发生的变化可以用施加二倍于正常开 关电压的方法使其恢复到初始状态，而激光闳蒸薄膜则无法恢复，原因还不清楚。CVD 方法对化学组成和掺杂的控制方便，厚度控制比溶胶一凝胶精确，但源物质昂贵不易得。 溶胶一凝胶工艺可以获得电性能和结构理想的薄膜，化学计量比及掺杂易控，不需复杂 设备，工艺简单，与Ic工艺兼容，但是所需要的特定金属醇盐昂贵不易得且容易水解， 不易保存。所制备的先体在放置过程中粘度变化显著，不够稳定。 本文采用金属有机物热分解法(简称MOD)制备PZT薄膜。这种方法具有溶胶一凝 胶1二艺的优点。不同的是，原料均采用国产市售原料，所合成的先体可以放置使用数月， 比较稳定。本文制得了具有纯钙钛矿相和良好铁电性能的PZT薄膜，进一步分析了薄膜 的制各工艺、结构与性能之间的关系，对该法制备的薄膜在铁电存储器方面的应用进行 了探索。 267 2．实验方法 2．1先体的制各 海1，乙二醇乙醚【c：H50(CH2)20H，CE，上海]、庚酸氧锫。其中庚酸氧锆是以氯氧化锆 【ZrOCl2．8H20，AR，上海】为原料，在实验室中自行合成，具体台成方法将在另文中详 述。 PZT的台成步骤为：将乙酸铅溶于乙二醇乙醚，加热至120。C，加入庚酸氧锆，共沸 20分钟，冷却得到浅黄色透明Pz溶液。另取一份乙酸钳，溶于乙二醇乙醚，加热至120 ℃．加入钛酸丁酯，共沸20分钟，得到浅黄色PT溶液。将已冷却的Pz溶液加入PT中， 共沸20分钟，冷却后加乙二醇乙醚调节先体的浓度至0．3M，过滤后即可用于制备薄膜。 2．2薄膜的制备 ， 用匀胶机将先体涂覆于衬底上，推入快速热处理炉中在550C保温5分钟，烧结薄膜。重 复涂覆和烧结过程以获得所需厚度的薄膜。最后在氧气气氛F对薄膜进行退火，即在一 定温度下对薄膜保温一段时间(具体数值参见结果与讨论部分)。 2．3分析与测试 采用VG，Microlab310．F Ct为X射线源，C— XPS谱仪分析薄膜的表面组分(MgK C／C--H Cls峰为标准校准各峰位的结合能)。采用Rigaku，PAX．10X射线衍射仪对薄膜 进行XRD分析(电压40KV．电流100mA，采}}jSiO，标样扣除仪器宽度)。根据Scherrer 公式‘8JD印．9x，(BCOS 0)(其中D为晶粒直径，^=O，154nm，B为衍射峰半高宽，0为 Brag角)计算二强峰的晶粒尺寸，取平均值作为样品的平均晶粒尺寸。薄膜的铁电性能测 试采用平板电容结构，用ZT．1铁电薄膜参数测试仪测得薄膜的剩余极化强度Pr、饱和极