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茎壅鱼全垦堕壁蔓壁生垄全垫鱼圭垒——丝羔一 碳化铬薄膜界面扩散反应的AES研究 姚文清郑斌朱永法曹立礼 清华大学化学系，100084 石墨是碳的一种同素异形体，层内原子间是共价键结合，层间作用力是范德化力，因 此，石墨具有良好的润滑特性，作为润滑材料有着广泛的应用Ⅲ。但金属与石墨基底之间 不浸润，结合强度低，石墨一金属复合材斟的机械热稳定性、导电性、耐腐蚀性等都依赖 与这两种材料之间的界面扩散和金属与碳化物层的能力。本论文工作主要是利用扫描俄歇 微探针进行深度分析和线性分析，研究石墨与金属之间的界面状态和界面相互作用。 一．实验方法 在磁控溅射镀膜系统上，利用氩气氛直流溅射的方法在铜基片上镀制150nm的石墨薄 分压为IPa，溅射速率2X 101m／秒．铬靶材纯度为99．9％，石墨靶材纯度为99．99％。样 品的真空热处理是在JEE一4C真空系统中，利用电炉装置完成的。热处理时，真空室的真 空度优于8×lO“Pa。 x 通道0n能量分析器，同轴电子枪的分析电压为3．OKV，分析室真空度优于210一Pa。 氩离子枪剥离速率经热氧化SiO：校准为30nm／min。 二．实验结果与讨论 I．真空热处理温度对铬／石墨界面的影响 C／2小时、600℃／2小时。 spⅢ¨TI∞mJ 图1．Cr／石墨／Cu原始样的俄歇深度分析谱 图2．经500C／2小时Cr／}L墨样品的 俄歇深度分析谱。 2垒 复查昼垒堡望垡墨蕉茔垄金垫煎塞盔 样品的俄歇深度分析谱。由谱图可知，随着真空热处理温度的递增，样品表面的氧化层 在从真空热处理500Y：／2小时的cr／石墨／Cu俄歇深度分析谱上取三处作俄歇线性分析， 图3．经500℃／2小时Cr／石墨／Cu样品的CKLL俄歇线性微分谱 图3．为经500℃／2小时Cr／石墨／cu样品的CKU俄歇线性微分谱，由图3．可知，与标 准cr3C2的俄歇线性谱相比较，500℃／2小时的DepthA和DepthB处的俄歇线性与标 准cr，C。的俄歇线性非常接近，可确认从薄膜表面一直到140hm深度存在着Cr。岛。而原 始样的DepthA和DepthB处的俄歇线性与标准cr3c2的俄歇线性相比相差较大，说明 由于磁控溅射镀膜是“低温”镀膜方法，镀膜过程中基片温度较低，金属化表层与基底 之间的扩散层比较窄，未形成碳化铬状态。 因此，升高热处理温度有助于促进界面扩散反应，但同时会导致铬薄膜表面氧化加 剧。所以，在确定真空热处理的温度时，必须同时考虑这两方面的影响。 2．真空热处理时间对铬／石墨界面的影响 ℃／6小时、400℃／8小时。 墨查墨垒基鱼堡整鏖望垄金熟鱼塞基 g堑 $m№嗍 图4．经400℃／6小时Cr／石墨／Cu样品的俄歇深度分析谱． 的厚度也由75nm展宽至200nm。由此看出，延长热处理时问同样存在者两种效果，促进 了界面的反应。但确加大了薄膜表面的氧化程度。 四．结论 利用磁控溅射技术制备的Cr／石墨／Cu薄膜，经过一定条件的真空热处理后在Cr／石 墨界面上发生了界面扩散反应，生成了cr，c2物种。在真空热处理过程中，cr薄膜表面发 生了氧化反应。提高真空热处理温度、延长真空热处理时间可以促进Cr／石墨界面扩散反 应，同时会导致薄膜表面氧化程度加剧。 五．参考文献 1．田民波，刘得令。“薄膜科学与技术手册”。北京：机械工业出版社，1991。 2．Donald T of JW，YanbinWang，MichaelV．4Strength 碳化铬薄膜界面扩散反应的AES研究 作者： 姚文清， 郑斌 作者单位：