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铁电,超导集成膜和铁电多层膜的TEM研究
刘 维
(t{,1日利。’#院物理6圩宄所,一{·【q柑’#航:氍埭态物弹中心.北康IOC)0{;,0)
一、引 言
高温超导薄膜具有广阔的应nj前景,Wl缸受到人tfl☆J拔人戈注.衔剑J-迅述的发}建。
等多种单品基片上都能制备…具有良好性能的商质量的,岛温超导薄膜。jj此蜘ij、j铁I乜,
高温超导集成薄膜也迅述的发艇起来。随行薄膜制备技术的发胜,州薄f};!压bi的检测也
征,如薄膜的厚度,单晶化程度,薄膜和衬底丝片之问的界m】状态,是行外延隹l乇.薄
膜的制祷1。艺、提高簿jlI!的质铤提供依槲。
八{一年代透射电予监微求成功的刚』‘、F昔体薄肢和器件的研究-h发塍丁、iiImf¨截
面样品的制备技求和l乜予姐微娩规察山‘法。为半导体薄股和器f,|二的发腱起J’报畦婴的作
用。把这此技术膨脂到高溻超诤薄睃的研究巾.也一定会对一:I潮超导溥睃卡于{:《剐辨竹的
发艉起剑银重要的作月j。本艾将报导往开埏该力+面研究:lI作巾}:j到的i-:要结果:
二、实验方法
极:做TEM艇察之前,必须将薄膜f“rI制备成能矗也‘』:娃微镜,{,删察的电髓fj:d6,
这出娃报天键根嘲难的一步。n前薄噤的l乜镜样^“£ll播。卜嘤宙婀精疗法一起、1二丽
TEM(PTEM)样品,一是截面TEM(XTEM)样品.
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后在砂纸.I二研壤基片flg,目1.1一_皿,直到厚度约为30m。然后将f”地柚在直径2
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钔环L.用离予减薄机,沿衬底一而进行·强丽减薄,商到样tW。t{-有孔涮Iti现为lf:。这样
在扎涮的边缘处就会有许多薄的区域,iU以进行选区电子衍射和透剁fU了照微像的观察。
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对的特神:一起,然后沿垂商喷面的疗I;d/J:妙纸l:研磨。磨到厚30pm后,在将它粘到
饩径23mm的铒{环l:,Hj离r减薄仪沿}:F两个力。向进行减薄直到样品rf,有孔洞出现为。
这样,就f刑奠在孔洞边缘薄的地乃+寻找囱薄膜的地方进行观察。平面样^&ur以观察到较
入范m内薄膜-:的情况.J}j】二评价薄谟的质毓比较全面准确。ftt它4i能膻察到薄膜和
i.h彘之M界丽的状态。所以后求又发艟r截喊样r吊制蔷技术。被面样.%W以埘察到薄喷
r÷足外延中长,溥腆的J≯嫂.墩向甜,诮体学参数埘评价沁膜的质撤技制备.L艺的改进都
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三、结果和讨论
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研究r蚪j磁控溅射,激光沉秘和激光分r康外延等办法。扫:STO、YSZ、LAO等
对底j一牛长舶啦层膜,多层膜和集成膜等.
图1是YBCO
膜巾镶嵌结构的电
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