非线性磁光克尔效应地研究.pdfVIP

1 999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集 5sI 非线性磁光克尔效应的研究 黄志高 赖恒 蔡晃 曾民勇 福建师范人学物理系福州350007 利用对称性理论导出r二阶非线性极化翠的表示式，在考虑丁磁陆薄膜表面和抖叫的菲涅尔反射和透别后，研究 了结构磁性膜的一些表面在不刚M取向下的二阶非线性磁光克尔旋转相中#：及SHG信、：强度随八利珀0、入则光偏 振角妒，二次谐波偏振角中和光于能量^∞的变化关系。计算缩果表明，相对于线阻碰光克j』；角，中#：肯巨大的增 强；当扫接近于o。时，o盛接近于90。。 1 引言 近年米，由于光信息存储技术和磁光垂直记录的』泛应用，特别足做性超出格和儆’PL多层膜材料 表面和界面制备技术的进一步完善和发展，对磁光克尔效应特剧是||线眭f_}{(光克尔效应的理论及实验 的研究引起了人们的极大兴趣和高度重视I¨1。由十非线性磁光克尔效府和S]tG信号旷常灵敏丁表面 J二、磁矩和原子的结干{l』。 和界面的结构、磁性、电f结构等．因而可以从非线性磁光克尔谱L米分耵rIb 2 理论模型 3 4 在非线性磁光克尔效应中，刘十二次谐波， 介质表面的非线性极化强度可以表示为I P(2∞)=z¨’(∞)：耳∞)尉∞) Z‘21是表征介质的非线性光学特征的一个物理量，它与晶体结构的空间对称性存在如下关系： z冀’=_．0．瓦。zZi．，i，／，女=一，Y，z r 2) J_j}青况F 式中T是每个对称操作的转换矩阵．根据(2)可得到≈i Z‘2’的表示，C[5】。 光(即二次谐波)的屯场可表示为： r乞cos 2妒]I 2妒 j ，：sin COS中1 ．f爿。C 六2f：cos!妒I E孑∽(m，臼)=2i(oIc)￡≯’{‘f 一．sin吐) j×z仁’× r 3) 1 ． sinfp l{一l●。COS(p i z曩cos(D Af，N 3 COS 3妒 2厂S,lj 2 Cpsin妒 ff。f．c