N-%2c2-O分子部分光学振子强度研究.pdfVIP

砌年9月 山东师大学报(自然科学版) sep．2000 第u卷第3期 J鲫湖d铀a日d啷No曲du晡呻(N枷d鼬∞，e) Ⅷ．巧№，3 N20分子的部分光学振子强度研究 王映雪 朱林繁 刘小井 江锡满 苑震生 杨 涛 除克尊 (中国科学拄术大学近代物iI幕．量子分子嘞理宴齄室，铷嘶．音层) 摘要在^射电子能量2=；b睢v、能量分辨20D盯≈v的条件下测量了一氧化二氰分子在7．8—24s“能量区间的 部分光学振子强度密度，并与前人的土作盘行了比较． 关霍词部分光学振子强度密度；电离；解离 l引言 电子碰撞电离是原子分子物理中的一个重要领域，通过散射电子和离子的符合测量可以获得 原子分子激发、电离以及解离等次级过程的信息．一氧化二氮(N：o，俗称笑气)是大气的一个组成 成份，其光电离质谱对于研究地球大气、模拟等离子体过程有重要意义．同时，一氧化二氮是较为简 单的三原子分子，对其电离。解离的研究有助于丰富有关分子激发态结构的理论知识， 本工作在入射电子能量为二髓oo甜、能量分辨如0—v条件下测量了一氧化二氮分子在7．8～ 光学振子强度密度． 、 2实验结果和讨论 图l给出了本实验测得的～氧化二氮的部分光学振子强度密度谱，由图中结果用外推方法可 以得到离子的出现势，列于表l中，可见本工作结果与光学方法…在能量分辨范围内符合较好．对 于不同实验组的部分光学振子强度密度，文献[2]的结果同我们的比较，趋势大致符台，然而由于文 献[2]的能量分辨较差(1ev)，本工作结果中明显的阶梯和峰结构是文献12]没有的．文献[3]在其测 到的能区与我们的吻合较好． 从N20+离子的部分光学振子强度密度曲线上我们可以看到收敛到其激发态A2∑+的部分里 德伯态的自电离形成的峰结构，对应能量损失为13．9“和14．9“．对于No+离子，相应曲线上的 台阶是由于r∑+态被预解离而形成，能损值J8．6ev附近的峰则是由收敛剜N20+离子e∑+态 的3h和4*里德伯态预解离构成．对于O+离子，其部分光学振子强度密度在能损值为16．3“附 近达到一极大值，之后逐渐下降，19ev后又缓慢上升．这是由于收敛到A2∑+和c2∑+态的里德伯 态预解离形成O+，而A2∑+态本身和酽Ⅱ态不能预解离形成0+离子．另外，N2+的形成包括了A2 ∑+态、铲Ⅱ态以及多电子跃迁态(加玎)(能量损失大于20．6eV后)预解离的贡献．对于N+离子的 部分光学振子，文献[2，3]的结果与我们比较，文献f3：得到的N+离子的出现势与本工作吻合，而 20．o出后三组数据互有差别，故对这一区间的光电离质谱还有进一步研究的必要． 【嘲H期：20∞一02一oI ————理■=『了1再_蛋疆I—一————一一 132 山东师大学报(自然科学牍) 第l，卷 ．．^毛)|赳静鼍氍卅鞲#装彘嚣 O 12 I● 16 18 20 22 2● 螺量损失(ev) 田l MO+、∞+、0+、心+和H+的部分光学扳子强度密度谱 裹l Mo+、No+、o+。M+和N+囊子的出理势 参考文蘸 l J．＆由_舡—一J．H．D．日刊，j．cI聊．升驴．．研。删1啊)