SiO-%2c2-薄膜的电导和击穿机制的研究.pdfVIP

2000年10月·广西·北海 第七届全国周体薄膜学术会议 SiO：薄膜的电导与击穿机制的研究 许铭真 谭长华 北京大学徽电子所，100871 I．前盲 SiO：薄膜是MOS超大规模集成电路的重要的栅绝缘材料，随着MOS集成电路的迅速发 展，MOS器件尺寸已进人深亚微米， SiO：薄膜的 栅Si02厚度已经减至10纳米以下。 失效成为集成电路可靠性的重要限制因素之一。为了应用加速应力实验得到的高场下的击 穿时问与应力电场之间的关系来预测实际应用电场下的使用寿命． 近三十年来，围绕着这 个难题进行了大量的理论与实验研究。其中以美国U．c．Berkeley的C．Hu为代表的空穴 提 击穿模型(或称为阳极空穴注入模型)【1，2】和美国德州仪器公司J．W．Mcpherson 出的场极化模型【3．4](又称为E模型)，是目前可以用于寿命预滑计算的两个模型。但 是．阳极空穴注人模型，不能用于低电场下的寿命预测，因为它过高的估计了其寿命值。而 可以描述较低电场下的击穿时间(t。)与电场强度(F0)之间的实验关系的E模型 与电蒎传输机精无关，这使得低电场下的众多实验现象难以解释。本文研究了6～19MV／cm MV／cm电场区-tu 电场区的多位作者的时间相关介质击穿(TDDB)数据，发现：在6～14 MV／cm．偏离线性关系。本文应用应力感应 与F。之间有很好的线性关系． 当k14 并应用 缺陷导电机制，解释了6～14MV／cm电场区的t。与电场k之间的线性关系； Fowler-Nordheim隧道电流机铜解释了10～19MV／cm电场区的tbd与F。之间的非线性关系。 II．应力癌虚缺陷导电 在Fowler-Nordheim应力作用下， 在到达阳极界面 由阴极注入Si02的隧道电子． 时，由于电子在电场中获得能量以及在用极界面存在的能量落差(3．2ev)，当这些电子与 阳极价带的空穴复合时。发生电致发光效应11l，可以计算出所发射的光波长为紫外光波 将打断处 段(大约为288nm)．发射光强度与FN电流相关【2】。当这些光子反射人SiO：时， 与氢 于两个界面和SiO：体内的某些弱键而产生缺陷．这些缺陷包括“热空穴”[3，4】， 相关的缺陷I5，6l和与氧相关的类施主缺陷。其中，与氧相关的类施主缺陷，可能失去电 子而呈现正电性。 而失去的这个电子则成为SiO：导带中的自由电子。同时-处于SiOz 导带中的另外—个自由电子将有几率落人该旆主中心。所以．由于类施主缺陷的存在，使 得FN电子从—个缺陷态跳到另—个缺陷态，使原有的FN导电机制转变为FN电子的跳跃导 电机制。 根据模特理论和类氢原子模型 【7l，该导电电流可以用下式表述： 12kT) (1) J-。G=2·孑ⅣDRsyexp(_E：，^：T—Rs，4二)跏^(口Rsj0 其中．K为类施主缺陷密度 I{8为类施主缺陷态势阱的间距 v为跳跃频率 E。为类施主缺陷态的势阱深度 20∞年tO月·广西·北海