Fe%2fAl-%2c2-O-%2c3-%2fFe隧道结构微结构研究.pdfVIP

1999年 第十届全国磁学和磁性材料会议论丈集 163 Fe／A1203／Fe隧道结的微结构研究 陈浩徐庆宇倪刚陆钧部有为 0o93 南京凡学固体微结构物理实验室南京21 采用离了束溅射设备制各了一系列Fe／A1：O；，Fe隧道结样品．其中绝缘层采用A1金属薄膜在 89％的磁}乜阻效应。采用X 空气中自然氧化获得，在AJ层氧化时间为72个时的}羊品中观察到5 光电子能普(XPSj和原子力程微镜(AFM)方法对样品的微结构进行了一系列观测，发现隧道 结中界面上存在的互扩散区，及绝缘层中来氧化的Al均对样品的TMR效应有着很人的影响。 1引言 现了4K下为14％的磁电阻效应，由于其良女r的低场特性，多种结构的隧道结，如 Ni／NiO／Co、Ni／A1 期的工作中，样品的磁电阻效应较小，爿未能存室湍F观察到磁电阻效府，岗此末能 s dt et 引起人们的重视。直到1 Moodera al[7】 995年，美国的J all6】和口本的T．Miyazaki 同时制备出了室温磁电阻数值超过10％的隧道绐样品．使得这一效应走向应用成为 可能，对隧道结磁电阻效应的研究才在世界范围内广泛开展起来。 由于TMR效应在高密度读出磁头，磁随机存储器及磁传感器等方面有着广阔的 应用前景．闻此TMR效应的研究成为了当前科学研究的前沿热点。当前，人们对隧 道结磁电阻效应的研究还刚刚起步，尤其对其微结构与TMR效应之间的联系还处于 朦胧认识阶段，对该体系的微结构进盯系统的研究，有助于更全面地了解TMR效应 的物理机制，从而使TMR材料得以广泛应用。我们采j{j离子束溅射技术制备r一系 列Fe／Al，O：／Fe隧道结样品，系统地研究了其TMR效应及微结构特征。 2实验 我们采用离子束溅射技术制备了一系列Fe／A】：O，／Fe隧道结样品，其中底层的Fe 膜在2500C 000A。在沉积完底层Fe膜后，一 F直接溅射沉积于硅基片上，厚度约为1 层厚约75A的A1膜直接溅射沉积=】二Fe膜上。此后，样品被置于空气中氧化，不同 样品的氧化时间从24小时到l00小时，这样可以获得坷i同氧化质量的隧道结样品。 j+…… ’ I 。 ————一J “ …j 1r——1i～—1r——Ⅸ一～W H(Oel VfmVl 罔1 AI层氧化时间为72小时的隧道结样品的磁屯阻回线和伏安特陛曲线 000 经过氧化后，一层厚度为1 A左右的Fe膜沉积j一氧化层上，从而获得结面积约为 3mm2隧道结样品。当AI层存空气。f-氧化后，由于氧化形成A1 20，的品格间距与金属 Al不同，冈此获得的绝缘层比溅射的Al层略厚。在我们制备的样品中，绝缘层的厚 00A。 度约为90．1 164 会议论文集 1999正 在Al层氧化72小时的样品中我们观察到5．89％的磁电阻效应。图1为该样品的 磁电阻回线和伏安