表面修饰增强光催化活性机量IMPS研究.pdfVIP

表面修饰增强光催化活性机理的IMPS研究1 尹峰盐愿肖绪瑞 中国科学院化学研究所，分子科学中心 多年来在半导体光催化降解污染物的研究中，丁i0一直以其无毒、稳定性 好、可彻底氧化大多数污染物的优点而成为半导体光催研究中的重点，但由于 TiO：禁带宽度较大只能利用太阳光中极少的部份，因而如何扩展TiO：光催化剂 的吸收光谱，提高其光催化活性也一直是许多研究人员的研究目标。而要达到 这一目标，．了解和掌握TiO，光催化反应及其光催化活性增加的机理是必不可少 的【“。在本工作中我们以强度调制光电流谱(IMPS)为主要研究方法对HCl表面处 理对T的，光催化活性增加的机理进行了研究。 实验部份 Hcl溶液{芰泡16d,时后洗净并干燥后得到经表面修饰的样品B。IMPS铡量是在 自建的悬浮体系IMPS测量系统中进行，工作电极和对电极分别均为铂片，样品 浓度为0．19儿，以0．1M的KCI为支持电解质，参比电极为饱和甘汞电极，光源 为125W高压汞灯．所用的恒电位仪和锁相放大器为EG＆G公司的273和5301A， 以自编程序通过PC机控制测量和数据分析．测量频率为5～1000Hz。光催化活性 测定是在与大气相通的带石英窗反应器中进行，所用底物为3’×103mol／L的 CHCI，，光催化剂浓度为lg，L，所用光源为29W低压汞灯，CHCI，光降解速度通 过氯离子选择性电极测量cl‘浓度进行检测。 结果与讨论 图l为经过HCl处理前后的Tiq光催化降解CHCl，时，Cr的产生速度，从圈 中可见经Hcl处理后CI．产生速度明显加快，表明采用Hcl对Ti0：进行表面处理可 以有效的提高其光催化括性． 为了研究Ti02光催化活性提高的机理，我们咀自创的悬浮体系蹦PS法对其 圈1．HCI处理前后n吼 样品对CHCb的光催化 一J)e量．尊I)一．Iu— 降解速度 ．Time(miIL) 光激发原初过程进行了研究．图2分别缭出了在两种Ti02微粒在ov和O．6V电位 下的m口S，从图中可见在两个电位下两种T002的蹦Ps中都有代表阳极电流和阴 极电流韵上下半圆。并且随外加电压的负移，两种Ti吼的MPs信号都在减小， ·85一 两者变化趋势也是一致。不同的是经处理后的Tiq的光电流比未处理的样品 大，特别是其中的阴极电流成份增加更为明显．由于阴极电流和阳极电流分别 由OH．和TiOi产生，这就说明经HCl处理后的Ti02产生OH。浓度增大。我们以前 的工作证明经Hcl处理后的TiO：表面态浓度减少埘，因此，导致。口浓度增加可 以按如下的反应机理进行解释： m一·～00V B —●～0．6V O心 j‘ ／——＼ c! ／ 、了 争1 j-．《，-一～ -- 气 · 1．二／ 心 ’ -02 。i掣～。m j．、～ - _ _ ．0．1 0,0 0．1 02 -2．0·1．5-1．0 -o．S 00 0．S hhA I叽n