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2017-08-14 发布于安徽
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TiN／AIN纳米多层膜调制结构研究.pdf

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电子显徽学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc 17(5)543～5441998年 543 TiN／A1N纳米多层膜的调制结构研究李戈扬1 施晓蓉1张流强2许俊华1李鹏兴1顾明元1 (1．上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室，2．中科院上海冶金研究所) 纳米多层膜具有多种物理性能和力学性能的异常效应，其中超模量、超硬度效应为近年来的构并对其力学性能的变化给予解释。 TiN／AIN纳米多层膜采用反应溅射法在日本产ANELVASPC一350多靶磁控溅射仪上制微镜。两个对称的调制结构斑点，由此计算出多层膜的调制周期为1．99nm，与设计值相符。另外，此小类型相同，错配度仅为2．9％(4nw一0．424nm，a。．A 存在穿过调制层的晶粒，但也发现部分区域存在穿过多个TiN和A1N调制层连续生长的晶粒存在的结果一致。图3中还可观察到大量刃型位错，这些位错的存在可以释放多层膜外延生长的畸变能。制层上先以亚稳态的立方结构外延生长，逐步过渡到稳定的六方结构。TiN因为只有立方结构，所以在h-AIN表面一开始就以立方结构生长，由此形成的大调制周期多层膜的调制结构模型存在三种不同的界面类型：一是TiN／c—AIN的化学界面，在此界面两侧仅有化学成分的变化，而无结构变化；二是c—A1N／h—AIN的结构界面t在此界面两侧，只有结构的变化，而不产生成分差异；第三种界面为h-AIN／TiN之间的界面，在此界面两侧既有成分的变化，又有结构的改变。小调制周期时，多层膜以立方结构多晶外延，连续穿过多层膜界面生长，此时多层膜界面只形成仅有成分变化而无结构变化的化学界面。力学性能研究表明TiN／AIN多层膜的显微硬度随调制周期的减小单调增高，不出现硬度电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc 544 17(5)l543～5441998年度往往随其模量的提高而增加，所以TiN／AIN纳米多层膜硬度随调制周期减小而单调上升极可能是由于c—A1N的强化所致。参考文献 Aeta1．Surfaceand j 825． [1]SetoyamaM．Nakayama CoatingsTechnology．1996，86／87 NEandGorcycaI，Phys．Rev．Bft1994．47}718． [2]Christensen 图1 TiN／AIN纳米多层膜的电子衍射花样 a．A一2nm，b．A=12nm 图2TiN／AIN纳米多层膜的调制结构图3 TiN／AIN纳米多层膜的HREM像