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GaN横向外延研究的新进展 张荣8，周玉刚8，陈克林8，卢佃清8，徐剑8，沈波8，顾书林8， and T．F．Kuechb 施毅8，郑有蚪8，L．Zhangb，D．M．Hansenb 8南京大学物理系南京210093 Chemical of of Wisconsin，Madison，USA “Department Engineering，University 近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其1．9-6．2eV连续可变的直接带隙，优异的物 理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长 半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料。 虽然GaN材料与器件研究开发已经取得了很大进展，仍存在一些因素制约了GaN器件性 能的进一步提高，其中最主要的制约因素之一就是外延层中的高密度位错。由于缺乏块状GaN 单晶体，GaN薄膜的获得主要靠异质外延，目前最常用的衬底材料是蓝宝石(Q-A1203)。存 在于外延层和衬底间的巨大晶格失配和热失配导致了GaN外延层中高密度的位错，典型的可 达10如／cm2，如此高的位错密度会大大增加器件的发热，缩短器件寿命。长期以来，人们为 降低GaN外延层中的位错密度作出了不懈的努力，尝试了多种方案，这方面已经取得初步成 功的方法，也是目前制备长寿命三族氮化物激光二极管的关键技术，就是图形GaN衬底上的 横向外延。GaN横向外延技术是指在已经获得的GaN平面材料上淀积掩蔽材料(通常为Si02) 并刻出特定的图形窗口，再在其上进行GaN的二次外延。由于选择外延的缘故，只有GaN窗 口部分能得到GaN外延生长，而Si02掩盖部分难以成核。当GaN窗口中外延出的GaN超过Si02 层厚度时会发生与竖直方向生长同时的横向生长。当横向生长达到一定程度后便能得到全履 盖的GaN外延层。这种生长因为符合“准自由”生长条件，且生长方向垂直于原GaN层中位 错的攀移方向，因而有很高的质量。 大多数已发表的有关GaN横向外延的工作都是用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法 完成的。采用MOCVD方法，人们研究了横向外延对生长条件、晶体取向和图形尺寸的依赖关 系，以及外延层中的位错分布和运动规律，获得了接合后的平面GaN横向外延材料，实验上 证明了横向外延区域中位错密度的大幅度降低。另～方面，氢化物气相外延(HVPE)技术是 目前制备GaN材料的另一种主要技术。它具有设备相对简单，使用维护便昶l，生长的材料质 量高，无需生长缓冲层等优点，特别是生长速率快，易于获得厚膜，使其成为解决自支撑GaN 衬底问题的极有希望的手段。同时，HVPE生长环境中卤化物的存在能显著影响GaN生长反 应的平衡状态，有利于提高横向外延速度。 本文综述报道用MOVPE和HVPE方法在图形掩蔽的GaN外延层上开展GaN横向外延研究 的最新进展，特别是我们用HVPE方法进行GaN材料在Si02掩蔽下的选区横向外延研究的结 果。研究发现横向外延晶柱的表面形：貌及横向／纵向外延速度均强烈依赖于生长条件、晶体 取向和图形大小。提高生长温度，或降低生长气源的V／Ⅲ比，或选用合适的窗口方向，均 有助于改善(0001)晶面作为生长前沿的稳定性。实验上首次发现在特殊条件下GaN横向外 延晶柱的横截面可为倒梯形。在优化生长条件下实现了横向外延晶柱的接合，获得了GaN平 面横向外延材料。透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、光致发光谱(PL)、微区 喇曼散射谱等实验结果证实横向外延单晶有优良的物理特性。 102