5.5Tesla强场下Bi2Sr2CaCu2O8%2b□%2fI%2fZn结隧道谱研究.pdfVIP

5．5TesI i a强场下B 的隧道谱研究木 陶宏杰 宣毅 赵柏儒 赵忠贤 中国科学院劫理研究所超导国家重^宴转室和中国科学院凝聚卷物理中心。北京11)0080 ￡摘要]本文首次报道了高质量B如Sr：CaCu：％．。／IlZn结的隧道谱髓温度和磁场的变化的系统研究．观测到 磁场垂直Bb面地平行ab面对隧道潜的影响要丈很多。奉实验对高温超导体Bi2212的强的备向异性给 』}{r一个新的证据。 一、引言 毫无疑问单电子隧道结的制各和单电子隧道谱的研究在超导电子学占有重要位置。 在第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议的论文中，我们曾详细介绍了在 Bi 2Sr2CaCu208．口／I／Zn隧道结的制备和隧道谱研究方面的：[作[1】。本文将简要介绍强磁场 下Bi 2Sr2CaCuzOm／I／Zn结的隧道谱研究的新结果。实验表明我们所制备的 很好的磁稳定性。这样的高质量的高温超导单电子隧道结已在高温超导隧道谱研究中得 到应用，我们相信它也将会在高温超导电子学中找到应用。 二、样品制备及实验测量 本研究所用的Bi22t2单晶以及隧道结的制备基本与文献[1，2j所述相同。Bi2212单 晶是用自助熔剂法定向结晶生氏的。解理出来的Bi2212单晶尺寸一般为 转变宽度为2—5K。为改善单晶质量，在制结前对单晶在流动氧中500。C下退火120小 时。退火后的单晶的磁转变宽度为1K。为制备隧道结，将Bi2212单晶用胶带解理，解理 面在最高放大倍率可达1000X的带CCD的光学显微镜下检查，确保无缺欠和台阶。之 后，用火棉胶(collodjon)派在解理面上，庄中间留下一宽0．5加m的缝隙。晶体在室温 F空气中暴露12小时后，移入镀膜设备的真空室，用热蒸发法通过掩模板缓慢沉积约 DESIGN 0．5×0．5(Ⅻ)2o隧道谱是用四引线法，利用QU^NTUMSQOID磁强计的强磁场和恒 温器，用典型的单电子隧道谱仪(交流电桥和Lock-in技术)和记算机数字采集测量 的。 三、实验结果 这里我们给出两个BiaSr2CaCu7％／I／Zn结的作为磁场和温度的函数的隧道谱。图 5．57 F隧道电导峰(准粒子峰)间 F不同温度的d1(V)／dr曲线，幽1(c)是零场和5．5T +国家基础研究重人项目和国家超导中心资勘项目 83 距△D．。随温度T变化曲线。这里我们 首先提请读者注意图l(a)的4．2t(的 电导曲线。在能隙边上有尖锐的准粒 子峰(peak)．庄准粒子峰外大约 倍能隙的位置育明显的下凹 (diP)，接下来在更高能培上是一 个比较宽的凸起(hump)。这一高 温超导体准粒子激发谱上的peak- dip—hump结构与角分辨光电子谱和 高质量扫描隧道显微镜(S讯)的 观测是一致的。它充分让明我们的 Bi，Sr，CaCu：0。／I／Zn结的高质量。 其次，我”J要指出我们的