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GaP纳米材料合成的研究 秦晓燕n’ 信春雨娌’ 高善民“’ 崔得良“’ 黄柏标n’ (山东大学晶体材料研究所“1山东大学图书馆。’) 摘要以Na。P和GaCI，为原料，分别采用在有机相中回流和在苯中进行高温 高压反应两种方法制备GaP纳米材料。实验结果表明，当采用有机相回流方法制 备GaP纳米材料时，材料的粒度分布范围较宽。回流温度和反应时间显著影响材 料的结晶质量，温度的提高和反应时间的延长有利于制备结晶质量好的GaP纳米 材料，但这对有机溶剂的稳定性和沸点要求较高，采用苯热合成方法制备GaP纳 米材料反应时间短，而且一步得到粒度均匀、结晶质量好的晶态GaP纳米颗粒。 关键词白p纳米材料，有机相回流．苯热合成 ／ 1 引言 半导体纳米材料由于和其它晶体材料相比具有瓤颖的物理和化学性质使其具有巨大的 潜在应用价值。半导体纳米晶体(量子点)是研究开发微型光电器件的基础材料，已倔使 越来越多的人去研究开发它。但迄今为止，大部分研究工作都集中在i～Ⅵ族化合物半导 体纳米晶体材料上，如CdSe、CdS[13等，这部分的研究工作已取得了较为系统的实验和理 论结果。而Ⅲ一V族半导体纳米晶体由于制备上的困难，使得这类材料的研究工作结果鞍 少。近几年虽然有文献报道，但多数是通过回流来制备纳米晶体材料01。这种方法需要很长 的反应时间，而且存在着样品粒度分布范围宽、表面氧化等许多问题。最近有文献报道了 利用苯为介质，在高温高压下(苯热合成)制备质量较好的GaN纳米晶o3。本文分别利用 有机相回流和苯热合成方法制备了GaP纳米晶体，并用XRD、TEM和光吸收等手段对所 得样品进行了表征。 2实验 量Na和白磷，切戚小块后放人干燥的苯中，边搅拌边加热回流8～10h，制得Nn，P；然后， 把高纯的Ga。O，用优级纯HCl溶解制成GaCI。溶液，用乙醚萃取．分离出有机相。将Na，P 和GaCI。溶液都分为两部分，用回流和苯热合成两种方法台成GaP纳米晶。 2．1有机相回流 向GaCl。的乙醚溶液中加入二乙二醇苯醚并将乙醚蒸馏出来，随后Na。P的苯溶液加 入其中，在高纯氮气中充分混合后将苯蒸馏除去。上述混合物在高纯氮气流中245I：加热搅 202 拌7Zh。得到的粉末样品经充分洗涤并干燥后，一部分溶于苯中作光吸收测量，另一部分作 XRD测试。 2．2苯热合成 向乙醚溶液中加入苯并蒸馏出乙醚。在室温下混合Na。P和GaCl。的苯溶液。充分搅拌 后，把混合物转移到衬有石英管的高压釜内，使填充率为60％左右，用高纯氮气鼓泡后封 釜，在2804C反应6～8h，即生成分散在苯中的GaP纳米晶。一部分苯溶液用于光吸收谱测 量，另一部分在真空条件下蒸发掉苯，得GaP纳米晶粉末。以上操作在隔绝空气的条件下 进行。 NI型记录式紫外可见分光 200kV，放大倍数100000×；光吸收谱是在Hitachi340UV—Vis 光度计上得到的，测试时温度为室温，吸收池厚度lcm。 3结果与讨论 3．1吸收光谱 用上述两种方法制备的GaP纳米晶在苯中 的吸收光谱如图1所示。其中(a)是高温高压反 应所得样品，(b)是GaCl。和Na。P在乙二醇乙醚 中回流72h后所得样品。图1中吸收肩峰(台 阶)的位置和形状直接反映着样品的粒度分布和 结晶完整性“1。通过对比可以发现，利用苯热合 成所得的样品出现了明显的吸收肩峰，而且肩峰 波长范围窄。而利用回流方法制得的样品没有出 现明显的吸收肩峰，这说明用回流力-法制备的样 品结晶完整性和粒度均一陛都不如用苯热台成 图1用苯热方法(a)和『司流方法 方法制备的样品。利用下面的公式”1可以计算样 (b)制备的样品的光吸收谱 品的平均粒径： E。一E，+筹【嘉q-。1j)专一号警≯1 式中E。为体材料带隙，9为电子电荷．m?和mi分别是电子和空穴的有效质量，e为介电 常数，n，P为常数(对有效质量模型，”一2，P一1)。取吸收肩峰右侧拐点处对应的能量作 为材料