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层状类钙钛矿结构铁电薄膜光学性质研究.pdfVIP

层状类钙钛矿结构铁电薄膜光学性质研究.pdf

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层状类钙钛矿结构铁电薄膜的光学性质研究 杨平雄褚君浩 年国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083 提疆采用ArF准分子脉冲激光沉积法(PLD),在石英玻璃衬底上制各出均匀透明的SrBi:Ta:岛铁电薄膜。 紫外透射光谱研究表明在波长为370~900nm范围薄膜具有很好的透光性,在300nm处有一陡峭的吸收 边,由半导体理论计算得到SBT薄膜的禁带宽度为3.25eV。室温红外富里叶变换光谱测试显示SBT簿虞 在室温下对中红外光表现出照好的吸收,这种薄膜有可能在室温红外焦平面列阵中得到应用。 一、引言 铁电薄膜具有一系列重要性质,如高介电、铁电、压电、热释电和光电等特性,利用 ; 储器(FRA】14)具有无疲劳特性、长的极化寿命和好的电学性质等….这一发现引起了世界各国 的极大关注,使SBT薄膜成为铁电薄膜研究中最热门的材料之一. 脉冲激光合成薄膜技术在高温氧化物超导薄膜的研制t获得巨大成功之后,已被广泛用于其它薄膜 材料的制备其原理是利用激光束从靶材上剥离出商能等离子体,并沉积在加热的衬底上形成薄膜. 与其它薄睽合成技术相比,其主要优点是:(1)可降低村底温度(2)保持较好的化学计量比,特别适 台生长复杂组分薄隆(3)生长速率茼(4)沉积参数易调等 对SBT薄膜的电学性质,人们已经作了较多的研究““1,我们也报道过在低温 对其光学性质的研究,到目前为止还未见到文献报道.对薄膜的光学性质的研究有助于理 解SBT薄膜无疲劳、在亚微米(100nm)厚度下仍具有体材料的优良电学性质等的微观机制, 的微观模型 本文研究了用PLD方法在低温石英玻璃衬底上制各的SBT薄膜的光学性质. ■、实验 ArF脉冲准分子激光器(LambdaPhysik 能量为160 Hz,通过一焦距为50cm的透镜将入射激光聚焦刘S髓陶瓷靶 m3,脉冲频率3 以2r/min转速旋转.实验时,先抽真空至5Pa,然后通入纯氧气保护气体,其流量为 20cm3/min,并保持石英衬底温度为400。c. LA慨DA 仪进行了结构分析.用PERKIN-EL/dER17UV/VIS紫外一可见光谱仪测量了薄膜的。t逻 过率,以石英玻璃作参比物,波长范围190r900nm.用NICOLETFTIR760型富里叶变换红外 光谱仪测量了室温下薄膜的中红外透过率,以石英玻璃作参比物,波数范围1800,-.8000cm1. =、结果与讨论 用CuE。作发射源的x射线衍射仪对低温石英衬底上脉冲激光沉积的SBT薄膜进行了结 构分析结果表明低温原位激光沉积的SBT薄膜的衍射峰宽而低从微观上来看,低温激 光沉积的SBT薄膜存在较大的内应力,衬底温度太低晶粒生长不大,使x射线衍射峰的高度 较低,而半峰全宽度则较大. 幽l为SBT薄膜的紫外透射光谱图.薄膜在波长为370~900nm范围内表现出良好的透 光性,最大透过率为100%,由于多层结构的干涉效应,在这个波段出现周期性振荡.在320hm 处有~陡峭的吸收边 波长 Photon energy(eV) 图l$BT薄膜的紫外透射谱 图2SBT薄膜在吸收边附近吸收 系数与光子能量关系. 在吸收边跗近,薄膜的透过率T与吸收系数伍之间满足关系” T=T。exp(一ad) 其中T。是与折射率有关的系数;a=4TcK/k,K是消光系数,d是薄膜的厚度.若薄膜的折 射率n2K2,在吸收边T。z1,那么,在吸收边透过率T呈指数减小: T~exp(ad) 铁电薄膜属于宽禁带半导体,我们可以根据半导体理论,通过对吸收边附近吸收系数 与入射光予能量之间的关系的拟合,估计SBT薄膜的能隙宽度E..图2为SBT薄膜在吸收 边附近的(曲v)1’与hv的关系曲线,拟台曲线给

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