- 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
层状类钙钛矿结构铁电薄膜的光学性质研究
杨平雄褚君浩
年国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083
提疆采用ArF准分子脉冲激光沉积法(PLD),在石英玻璃衬底上制各出均匀透明的SrBi:Ta:岛铁电薄膜。
紫外透射光谱研究表明在波长为370~900nm范围薄膜具有很好的透光性,在300nm处有一陡峭的吸收
边,由半导体理论计算得到SBT薄膜的禁带宽度为3.25eV。室温红外富里叶变换光谱测试显示SBT簿虞
在室温下对中红外光表现出照好的吸收,这种薄膜有可能在室温红外焦平面列阵中得到应用。
一、引言
铁电薄膜具有一系列重要性质,如高介电、铁电、压电、热释电和光电等特性,利用
;
储器(FRA】14)具有无疲劳特性、长的极化寿命和好的电学性质等….这一发现引起了世界各国
的极大关注,使SBT薄膜成为铁电薄膜研究中最热门的材料之一.
脉冲激光合成薄膜技术在高温氧化物超导薄膜的研制t获得巨大成功之后,已被广泛用于其它薄膜
材料的制备其原理是利用激光束从靶材上剥离出商能等离子体,并沉积在加热的衬底上形成薄膜.
与其它薄睽合成技术相比,其主要优点是:(1)可降低村底温度(2)保持较好的化学计量比,特别适
台生长复杂组分薄隆(3)生长速率茼(4)沉积参数易调等
对SBT薄膜的电学性质,人们已经作了较多的研究““1,我们也报道过在低温
对其光学性质的研究,到目前为止还未见到文献报道.对薄膜的光学性质的研究有助于理
解SBT薄膜无疲劳、在亚微米(100nm)厚度下仍具有体材料的优良电学性质等的微观机制,
的微观模型
本文研究了用PLD方法在低温石英玻璃衬底上制各的SBT薄膜的光学性质.
■、实验
ArF脉冲准分子激光器(LambdaPhysik
能量为160 Hz,通过一焦距为50cm的透镜将入射激光聚焦刘S髓陶瓷靶
m3,脉冲频率3
以2r/min转速旋转.实验时,先抽真空至5Pa,然后通入纯氧气保护气体,其流量为
20cm3/min,并保持石英衬底温度为400。c.
LA慨DA
仪进行了结构分析.用PERKIN-EL/dER17UV/VIS紫外一可见光谱仪测量了薄膜的。t逻
过率,以石英玻璃作参比物,波长范围190r900nm.用NICOLETFTIR760型富里叶变换红外
光谱仪测量了室温下薄膜的中红外透过率,以石英玻璃作参比物,波数范围1800,-.8000cm1.
=、结果与讨论
用CuE。作发射源的x射线衍射仪对低温石英衬底上脉冲激光沉积的SBT薄膜进行了结
构分析结果表明低温原位激光沉积的SBT薄膜的衍射峰宽而低从微观上来看,低温激
光沉积的SBT薄膜存在较大的内应力,衬底温度太低晶粒生长不大,使x射线衍射峰的高度
较低,而半峰全宽度则较大.
幽l为SBT薄膜的紫外透射光谱图.薄膜在波长为370~900nm范围内表现出良好的透
光性,最大透过率为100%,由于多层结构的干涉效应,在这个波段出现周期性振荡.在320hm
处有~陡峭的吸收边
波长 Photon
energy(eV)
图l$BT薄膜的紫外透射谱 图2SBT薄膜在吸收边附近吸收
系数与光子能量关系.
在吸收边跗近,薄膜的透过率T与吸收系数伍之间满足关系”
T=T。exp(一ad)
其中T。是与折射率有关的系数;a=4TcK/k,K是消光系数,d是薄膜的厚度.若薄膜的折
射率n2K2,在吸收边T。z1,那么,在吸收边透过率T呈指数减小:
T~exp(ad)
铁电薄膜属于宽禁带半导体,我们可以根据半导体理论,通过对吸收边附近吸收系数
与入射光予能量之间的关系的拟合,估计SBT薄膜的能隙宽度E..图2为SBT薄膜在吸收
边附近的(曲v)1’与hv的关系曲线,拟台曲线给
您可能关注的文档
- 1-甲氨基蒽醌合成研究.pdf
- 不同尺寸二氧化硅纳米粒子对细胞摄取与功能影响的研究.pdf
- PBLOCO隔离技术地研究.pdf
- 补益抗衰老口服液毒性研究.pdf
- 安清益智胶囊质量标准研究.pdf
- TiN/AIN纳米多层膜调制结构研究.pdf
- 城市污水低温热能利用探究.pdf
- Ni(Ⅱ)-5%2c11%2c17%2c23-四叔丁基-25%2c27-二(N%2cN%27-二乙基)酰氧基-26%2c28-二羟基杯%5b4%5d芳烃修饰的碳糊电极的电化学行为和其对H-%2c2-O-%2c2-的电催化氧化反应的研究.pdf
- 超细TiO-%2c2-处理含铬废水地研究.pdf
- 超声检测灵敏度极限地研究.pdf
文档评论(0)