GaAs+FET失效机理和快速评价实验技术的研究.pdfVIP

GaAs FET失效机理及快速评价实验技术的研究 李志国、宋增超、孙大鹏、程尧海、张万荣、周仲蓉 (北京工业大学电控学院100022北累) FET失教t感参精的温度特性和在一定电成力 擅叠，本文提出了快速评价G“sFET可靠性寿命的一种新方法．利用G“s 下的堰化特性．在蛙快速提取出器件失效敏茄参数的堪化量与温度的关系．从而可进一步求出嚣件的失效激活艟、 寿命等相关的可靠性参效． GaAs 关■词I FET失效机埋快速评价 1．前育 微电子器件可靠性评价和可靠性寿命试验是微电子器件可靠性物理和可靠性工程主 要的研究内容。当以温度作为加速应力进行恒定应力加速寿命试验时，国内外普遍采用 Arrhenius方程，即采用多样品、多温度点得到相关系数后外推出正常工作温度下的寿命 FET失效 和失效率。该方法所需样品数晕多．试验周期长，成本高。本方法利用GaAs 的敏感参数IDss的温度特性和在一定电热应力F的退化特性，能快速、实时地提取出Ioss 的退化量与温度的关系等相关信息，快速地确定GaAs FET的失效激活能Q和中值寿命 MTF等可靠性参数。 2．理论 微电子器件参数的退化是由器件内部物理和化学变化引起的，当这种变化积累到一 定程度时即发生失效，退化经历的时间即产品的寿命。根据Arrhenius方程： dM／dt=R(t净Aexp[--Q／KT】 (I) 反应速率dN*ddt随温度按指数规律变化，而这个反应速率正反映了器件参数的退化 速率，器件参数的退化速率反应了器件寿命的长短，故器件寿命与温度的关系遵从 Arrhcnius方程。 设微电子器件某参数的退化速率dp／dt服从Arrhenius方程，同时考虑到器件的退化 还与施加的电流应力有关，则 dp／dt；Aj“exp[--Q／K即 (2) 这里。Q为失效激活能，K为波尔兹曼常数，T为绝对温度，n为电流密度指数因子， 电流产生的退化可转换成焦尔热来考虑，P。为参数的初始值。 (dp／础％=彳’j”exp卜Q／KT] (3) ／‘o A‘=A／Po，采用温度斜坡法，即对器竹：施加按一定速率B上升的温度斜坡．则t时 刻器件的温度为：丁(t)-1’o+13t+△T。To为初始温度，p为升温速率，△T为微电子器 件施加一定的电应力后的温升。由dT=Bdt可得到：dt=dT／B，并代入(3)式后， d帆2告舳p【_Q／KT]dT ·369· 两边吮去￡卯=等扣(_Q／灯旷只靴K酬就有 (exp(一Q／K71W了1。言【T2exp(一QⅨT)一T02exp(一Q／KTo)] 因为To较小．T2 exp(一Q／KTo)，故上式第二项可以略去 exp(--Q／KT)T02 筹=警exp(--Q／KT) 两边取獭呱r2争蛳筹， Mz竺卜lnc一旦土 m(下27州肥一素亍 其中c2可Ajng 同时，假设Manhieseen规则成立，电参数为温度的函数，可将电参数的温度相关 项和退化相关量分开．并相互独立。做ln(T2AP／P)与I／I曲线，找出曲线的线性段，并 经线性拟合得到一直线，设直线的斜率为S，则Q=--KS，Q即为器件的失效激活能。 3．实验系统 ’ 根据本方法设计了一套以PC--586作为主机控制，以国际通用接口(GP-IB) IEEE．488总线为数据通讯基础，在HP．VEE环境下用可视化图形编程语言编制试验程 序，从而实现对双路程控电源HP6634A和H