MOCVD高效GaAs太阳电池探究.pdfVIP

aA MOCVD高效G S太阳电池研究木 向贤碧杜文会常秀兰 (中国科学院半导体所材料开放实验室) 摘要：本文报道了用MOCVD技术研制高效A1GaAs／G“s太刚电池的实验和结果。通过太阳电池结 性能得到了显著提高。在AM0测试条件r，获得的最好的太R『电池光伏参数为：开路电压V。=1．039V， 短路电流密度J。。=33 2， 25。C)。 一．引言 近儿年来，国际上在OaAs基系高敛太…电池的研究和空间席_L}{领域取得了跃足的进步[1]。为了 跟踪国际高效空间能渊的发展趋势，从t997年起，我们在航天“863”计划和国家自然科学基金项目 刚电池结构的调整，对材料生挺L艺和器件『：艺的改进，使^iOCVD—GaAs太阳电池效率不断提高，最 高效率达了21．95％(AMO，2x2cmz，25。C)，达剑了国际上单结OaAs太阳电池的先进水平。 二．实验 2．1GIBA s太阳电池结构设计和生长 在MOCVD生K过程中，通过汽渊的变换，可以生K山多层结构的，厚度和浓度均匀的外延片，因 而增大了电池设计的灵活性。本项研究采IL}j的MOCVD—GaAs太刚电池结构如图1所示。图中清楚地标 明了各层的功能、厚度和浓度。MOCVD—GaAs太RlLH池结构外延片是在一台德国ATXTRON公司生产的 6【OCVD设备上生K的。I u xlO…CIfl一1，厚度为380m，利底j坟向为(100)偏向[110]方向2-6。。 的N型GaAs片，1旅皮为l GaAs cap 0．51．tin p=lEl9cm+3 rim 8 50 2AsWindow p=2E1 AIo．8Ga0 GaAs Emitter 口22E18 O．5pro GaAs Base 3．5proEl=7．El7 BSFO．1 n。3E18 7As Mm AIo1Gao ri=I Buffer El8 GaAs O．21xm Substrate ri=1EI8 GmA,s 3501am 幽l且有背场的GaAs太日f电池结构 在这种结构中采川了A1。；Ga。，As背场t它对光生空穴形成一个势生，限制了光生空穴向n+衬 十周家白然科学皋会资助项E『 底的反向扩散，有利于光生空穴的正向流动，提高了短路电流。因此，采用这种结构能获得较高的转 换效率。 经过近一年的实验，证明这种相对简单的结构．较易获得高质量的外延片。电化学C-V测试证 明．外延片的结构和质量已基本达到了我{fj的设计要求。 1．2器件工艺的改进 MOCVO外延片的结构与LPE外延片有明显的著别，以往川以研制LPE—GaAs太阳电池的器件工艺 已不适用于研带／MOCVD—GaAs太阳电池。 近两年来，我们在器件[艺方面进行了多项研究和改进。主 要包括以下几个方面： (1)细栅线图形的设计．新圈形的遮光面积夫人减少，仅占2，6％，圜而增加了光吸收，提高了 短路电流也有利于提高填充因子[2