V-PTC(SrPb）TiO3陶瓷半导体地研究.pdfVIP

硅酸盐通报1997年增刊 V—PTC(Sr，Pb)Ti03陶瓷半导体的研究 莫艳李龙土周 济 (清华大学材料科学与工程系北京100084) 坐点以上显示的PTC效应来自于晶界教应，而其NTC效应则决定于材料载流子浓度划温度的指教依颤关系．本 文通过范德堡法对(Sr，Pb)Ti03陶瓷进行室温霍尔测量，结果证实材料为n型半导体。其载流子浓度为川7 cm～，与理论值大致吻合。载流子迁移率为0．2cm2v s～，这进一步证实(Sr，Vb)，Ilt(k陶瓷半导模型中电子拽流 子以弱束缚电子(T一+．e)存在，而不是以自由电子方式存在。 关键词：(Sr，Pb)Ti03陶瓷，V—PTC，半导化，霍尔测量，载流子浓度，迁移率 1．前 言 (Sr，Pb)Ti03半导陶瓷进行室温霍尔测量，得 到关于材料载流子浓度、迁移率等数据，再通过 (Sr，Pb)Ti03陶瓷具有V型PTC特性，因 而受到人们日益的重视和广泛的研究。人们在 测定材料的电阻率随温度的变化曲线，从理论 上计算材料的施主电离能和载流子浓度。比较 设法改善(Sr，Pb)Ti03陶瓷热敏性能的同时， 也在不断地探索它v型特性背后的本质问题。 实测载流子浓度和理论载流子浓度，发现两者 基本吻合。 辫 在解释(Sr，Pb)Ti03陶瓷在居里温度以上表 现出来的PTC现象时，人们一致认为，它和 2．实验过程 BaTi03陶瓷的PTC现象及形成的机理相同， 2．1材料制备 这一理论早在50年代由Heywang提出，即著 01、 原料采用化学纯的SrC03、PI)U、，I、j 名的Heywang晶界势垒模型…。后来经过 Jonker修正，称之为铁电补偿修正…2。1976 z=1，把粉料混合、球磨、干燥后，在85／)4；一 年。Daniels又在Heywang—Jonker模型的基础 900℃煅烧进行一次合成，合成后经二次球磨、 上．提出了能更好地解释实验事实的钡缺位模 干燥、成型后，在1200℃进行烧结，得到直径约 型【“。直到今天，这两个理论模型仍为大家普 10mm，厚度约lmm的陶瓷圆片。 遍接受。因此，人们对(sr，Pb)Ti03陶瓷的 2．2阻温特性 PTC现象及机理的研究很快达成共识。但是 将(Sr，Pb)Ti03陶瓷小圆片清洗后，在上 在对(Sr，Pb)Ti03陶瓷在居里温度以下显示 下表面涂敷欧姆接触的In—Ga合金电极，然后 出的不同程度的NTC现象以及对NTC效应 在阻温特性自动测试仪上测试材料的阻温特 的起源问题进行研究时，提出了各自不同的观 性。结果呈明显的V型(见图1)。 珏： 点，有的结合多晶陶瓷的特点，仍从晶界效应出 2．3范德堡法霍尔测量 域 发，提出了“纯净”晶界和“杂”晶界复合机构的 霍尔测量是研究半