Φ100～150mm集成电路生产线上工艺硅片缺陷研究.pdfVIP

垂100～150mm集成电路生产线上 ，D≯0 工艺硅片的缺陷研究 rtO?口j- ，邹子英 闵 靖 ． (上海市计量潮斌技术研究院材料分折室，上海 ．20lin,3) 踟吩_】l弧+硝‘’’!一 1引育 在集成电路(Ic)制作过程中，硅片要 经过数十道工序的加土。原来周期性排列的 硅单晶-晶格会受刭局部t坏，引入晶格缺 陷，常把遮样缺骼称为工艺诱生缺掐。Ic 工艺中量易寻1人诱生映蹈的工序是氯化、扩 散、膏子注入和外廷。缺陷会导致加性能 图l CMOS集成电路蛄构 的下降和失效，所以对它进行研究很有必 要。 以往已有研究组对眈一3英寸IC生产 线(下文简称原生产线)上的工艺硅片的诱 生缺陷进行过研究，这些生产线上的设备大 多为国产的或引进的∞年代初的进口设备， 硅片通常用国产小直径硅片。∞年代在上 海建立了三条与国际接轨的斜一6英寸Ic 图2蚊极型集成电硌培构 生产线(下文简称现生产线)。生产线上的 和外延等工艺中的硅片作为样品，样品经择 设备是国际∞年代的，工艺技术也是国外 优腐蚀后，用干涉相衬显微镜观察缺陷，并 引进的，所用硅片和原辅材料都是进口的。 用与显微镜相连接的计算机图象分析仪进行 在这样的IC生产条件下，工艺硅片的诱生 缺陷密度和线度的溯量计数。 缺陷的状况如何?存在何种主要的缺陷，这 所用的择优腐蚀液：111)晶向硅片用 是人们感兴趣的，近年来我们研究现生产线 上CMOS、BiCMos和双极型IC电路工艺硅 蚀液。 片的诱生缺陷。图l和图2分别是CMOS和 3结果与讨论 双极电路剖面结构的示意图。本文报导现生 3．1氧化诱生层错 产线上的缺陷状况并与原生产线上工艺硅片 氧化诱生层错简称氧化层错。是硅片经 的缺陷进行了对比。 ． 高温氧化后在硅片中形成的一种二维缺陷， 2实验 是插入型即非本征层错。氧化层错位于与表 抽取现生产线上氧化、扩散、离子注入 ·203· 面倾斜的{111}面上，其周界为弗兰克偏注入的剂量和能量是扼制这种缺陷的途径。 位错。图3是氧化层错的典型蚀坑形貌。 图4a弗兰克位错 图3纂犁的、氛传器错 氧化层错分表面掘和体型两类。表面型 层错位于硅片表面层，．层错长度一致，主要 是表面机槭损伤所引起的。离予注本的损伤 也会诱生这种层错，但层错的长度不一致。 体型层错是由硅片体内的漩涡缺陷转化而 成，层错的长短不一。 愿生产线上舞钯屡傍是睾蓦的诱生缺陷 图4b弗兰克位错 之一。特别是对于《190)矗内，N犁硅片， 氧化层错严重时》5xlo％m