Ge%2fSi多层膜低角X射线衍射研究.pdfVIP

Ge／Si多层膜的低角x射线衍射研究 王勇，杨宏卫，周卫，张怀若，杨宁 (云南大学材料科学与工程系．云南昆明650091) 摘要：用磁拉溅射生长了5用期的Ge．／Si多屡膜 和GexSi．。单屡膜，用升算机牲制的衍射仪(CuKD 2实验 辐射)测量了x射线衍射曲成，在GeJSi多屡膜衍 射的布喇格衍射峰两侧发现了一乐列次衄衍射峰． 实验所测的Gdsi多层膜和GcxSi．。单层膜样品 在单屡膜样品的低向x射线衍射中也发现了一系列 生长是在中国科学院沈阳科学仪器研制中心生产的 小峰，我们对此现象进行7深八地探讨，并利用带 JGPS00A型超高真空多靶磁控溅射仪中进行的．谈 折射修正的布喇格斯射定律和薄膜光学现皋，时低 仪器系统分为两个真空室：预处理和锻射室．两室 角x射线衍射谱中出现的一系列现象进行了解辟． 之间用趣高真空闸板阔蕊开，磁力传遵杆可以在预 并计算出了Ge／Si多层膜的用期厚度和周期中不同 处理室和潮射室之间传递样品·援处理窒下配备有 材料间的配比率置G岛捌h单量膜的厚度． 机槭泵．分子泵作为抽气系统，可以把强处理窒和 溅射室抽到1×10．Pa以下，各室真空度分别由热偶 关键词：G-e-Si多层赡；低角x射饿衍射l配比率 SAXD s配比率 硅管或电离硅臂潮量-实验中所用衬鹰电阻率为10 1引言 O·m的SiOCO)单晶片，衬底先经过分析纯四氧化 碳．分析纯丙酮，分析纯酒糟。去离子水超声去螬· 低角x射线衍射(sAxD)方法与透射电子显 去油膳及其它有机物-然后经坞804：啦02=2：l涫 微镜(TEM)，卢瑟福背散射(Ims)等测试方法相 液，去离子术清洗进一步去腊，经过N珥：啦q：H20 比t它具有非破坏性、样品制备简便、快速以及测 =1：2：4溶液清洗去除轻金属．经去赢子水冲洗．卸∞ 量糟度i暂等优点．所以被广泛应用于测量超晶格、 溶液蒲洗再经去离子水清洗击酴村底上的庸蚀坑i 多层膜和单层膜的周期结构和它的缺陷a在前人的 经过HCL：H20：H202盘3：l：l溶液和去离子水清洗去睬 衬底上的金属离子及形成氧化膜保护层；最后经过5 工作中．已对此有较详尽的讨论11I．但未能对低角x ％的t-IF漂洗腐蚀掉氯化层．在表面上形成比较牢 射线衍射谱中的一些现象作出分析．在其它的一些 固的$i-H键，吹去表面水分子，放入顼处理室的样 文献中对从低角X射线衍射谱中导出多层膜中的周 品库中进行制备．我们设计了不同结构参数的C．≈／Si 期厚度和材料的平均折射串修正值”以及可以得到单 多层膜及魄siI。单层膜。一般si层共锻6层．si 层膜的厚度9唷较详细的讨论。 衬底上第—层si作为援冲层．最外层si既作为周期 以硅技术为代表的赦电子技术正日新月异地发 层中的亚层．也作为保护层而存在。Ge共艟射5层， 展．溅射制备GetSi多层膜便成为了改进si材料性 Ge层和si