Ge-SiO+2+，半导体纳米镶嵌薄膜制备工艺地研究.pdfVIP

一 Ge—SiO：半导体纳米镶嵌薄膜制备工艺的研究 陈静昊雪梅金宗明 张昌凯钱北平姚伟国 (苏州大学物理系，苏州，215006) (中国科学院红外物理国家重点实验室，上海，200083) 摘要采用射频磁控技术，用Ge、SiOz的复合靶制室。采用射频磁控共溅射法制备Ge—SiOz镶嵌薄膜。 备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜。分别采用 分别以沉积时控制基片温度和退火后处理技术二种 沉积时控制基片温度和退火后处理工艺技术来调制 方式调节薄膜中Ge晶粒大小。本实验的基片座温度 薄膜中锗晶粗尺寸。结果表明两种工艺均能有效地对 可在室温～800℃范围内连续可调，由精密温度控制 锗晶粒足寸进行调制。对两种工艺进行了系统的研 仪自动控温。沉积室预抽真空4×10一Pa。溅射沉积 究，给出了锗晶粒尺寸与各工艺参数的关系，并对各 时充人99．999“的高纯氩气，工作气压为3．5Pa，射 工艺奈件下绪晶粒的形成和长大进行了相应的讨论。 关键词锗纳米晶复合薄膜 火后处理时真空度优于1×10～Pa。 D／Max--3C型X射线衍射 采用日本产Rigaku 1引言 半导体纳米晶粒镶嵌在绝缘介质基体中组成的 射分析(XRD)。对于不同制备条件下的薄膜，由XRD 复合薄膜．因其在光学方面表现出的奇异特性和广泛 衍射蟑的半高宽，利用Sherrer公式算出薄膜中Ge 的应用前景，引起人们的重视。与块体半导体材料相 颗粒的平均晶粒大小，比较各种制备条件下不同工艺 比，镶嵌在绝缘介质中的半导体纳米颗粒一准零维的 参数变化与Ge颗粒尺寸大小的关系。 量子点材料，因受到增强的表面、界面效应以及介质 3实验结果 势垒的三维量子限域效应，使得这样的纳米半导体颗 粒～绝缘介质的复合材料的兰阶光学非线性响应具 3．1 沉积时不同工艺参数对Ge晶粒生长的影响 有非线性系数大、域值功率低和响应速度快等特点， 在光储存、光开关、光波导、光学计算机等光学非线性 采用射频磁控共溅射法，通过溅射沉积时直接控 器件方面具有广泛的应用前景，已经成为广泛关注的 制基片的温度(Ts)来调制薄膜中Ge颗粒的尺寸大 课题n叫j。本文采用射频磁控共溅射法成功制备出了 高体积百分数的、颗粒尺寸可调的、均匀的Ge—SiOz 时的薄膜的XRD谱图。由图可见，当Tb为室温时， 半导体纳米镶嵌薄膜。对不同制备条件下半导体纳米 曲线只呈现非晶鼓包，说明簿膜只存在非晶结构的 晶粒的形成、颗粒的弥散和颗粒尺寸与工艺参数问的 相。当Ts升高到500C时，非晶鼓包的趋向消失及晶 关系有较为深入和系统的研究，以便今后能通过控制 态衍射峰的出现说明薄膜中有晶态Ge颗粒出现的 薄膜制备过程中的工艺参数来很好地控制薄膜的成 趋势。当Ts升高到600X2时，曲线出现三个明显的晶 分和微观结构，从而为这类材料的进一步研究和在高 态衍射峰，峰位对应于块体Ge的金刚石结构的 新技术中的开发应用提供了有用的数据。 晶态衍射峰相比峰被宽化，可见此时Ge在绝缘介质 2实验方法 SiOz中形成了盒刚石结构的纳米晶粒。当Ts升高到 用射频磁控镀膜设备制备Ge镶嵌在绝缘介质