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BEPCⅡ注入探究.pdfVIP

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BEPCII注入研究 黄楠 李波 中国抖学院高能物埋所 北京100039918信箱 BEPCH是北京正负电子对擅机的升圾改进项目,它采用 双环交叉对撞,每环流强约为lA.本文介绍BEPCII注入物 理设计.包括环注入系统、输运线改进、注入模拟跟踪等· 1.储存环注入概述 BEPCII对撞模式采用全能量,水平相空间注入和积累。正负电子柬经直线加速器加速到 所需能量,再分别通过正负电子输运线从外环内侧注入到正负电子储存环中。 根据BEPcII总体目标提出的注入设计总体要求见表l。对直线加速器的总体要求见表2。 表1注入设计的总体要求 负电子 正电子 注入能量 (Gev) 1.55-1.891.55-1.89 注入速率 (m^/min) ≥200 ≥50 环正常注入效率(%) ≥80 西5 正常需补充注入的流强 (mA) -350 —350 正常补充注入用时间 (min.) S2 S7 注入本底 谱仪许可范围内 表2对直线加速器的的总体要求 负电子 l正电子 注入能量 (GeV) 1.55一1.89 重复频率 (Hz) 50 能散度(包含中心能量稳定度) (%) O.5 O.64 1.6 发射度(2O,1.89GeV) (∞.Ⅲrad) ≥0.2l ≥0.038 直线出口单脉冲电量 (nC/puIse) 单脉冲长度 (ns) l l 定时系统相对纵向接受度中心的时间抖动 (ps) ±70 ±70 直线出口中心轨道晃动r/r’(Ⅲ/mrad)士0.3/±0.05 ±0.3/±0.05 正电子双脉冲注入 脉冲个数/脉冲间隔 (nS) 2/56 直线出口双脉冲电量 (nC/Hz) 0.06 一l蔫一 2. 注入元件 2.1布局和凸轨 “记 ”二 。n“一1几一田 二_n ,,Iu 。坩 。U一:JJ ,。 ~\j。 ?夕 !r一/ 图1. 注入元件布局示意图 每个环的注入元件由两块相位差为Ⅱ的冲击磁铁K1,K

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