自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性.pdfVIP

物理化学学~E(WuliHuaxueXuebao) July Acta ．一Chim．Sin．2014，30(7)，1377—1383 l377 [Article】 doi：10．3866／PKU．WHXB201405093 www．whxb．pku．edu．ca 自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性 赵青靓’ 刘 肠1,2 魏 楠’ 王 胜 (北京大学电子学系，纳米器件物理与化学教育部重点实验室，北京 100871； 北京大学前沿交叉学科研究院，北京 100871) 摘要： 采用 自组装的方法制备99％高纯度半导体碳纳米管平行阵列条带，以金属钯和钪为非对称接触电极制 备碳纳米管(CNT)薄膜晶体管 (TFTs)器件．主要研究不同沟道长度碳纳米管薄膜晶体管器件的电输运特性和红 外光电响应特性，分析了乓中的载流子输运和光生载流子分离的物理机制．我们发现薄膜晶体管器件的电学性 能和光电性能依赖于器件沟道长度 (￡_)和碳纳米管的平均长度(￡_c)．当沟道长度小于碳纳米管的平均长度时， 器件开关比最低：当沟道长度超过碳纳米管平均长度时，随着沟道长度的增加，器件开关比增加，光电流减小． 相关研究结果为高纯碳纳米管薄膜晶体管器件在红外光探测器方面的进一步应用提供参考依据． 关键词： 碳纳米管： 白组装：非对称接触： 光电响应；红外； 沟道长度：薄膜晶体管 中图分类号： 0649 PhotoelectricCharacteristicsofSelf-AssembledSemiconducting CarbonNanotubeThinFilms ZHAO Qing-Liang’ LIUYang’’ WEINan’ WANGSheng’ KeyLaboratoryforthePhysicsandChemistryofNanodevices．DepartmentofElectronics．PekingUniversity, Bejiing100871， R．China； AcademyforAdvancedInterdisciplinaryStudies，PekingUniversiyt,Beoing100871，PR．China) Abstract： Weusedtheself-assemblymethodtoform highpurity(99％)semiconductingcarbonnanotube (CNT)alignedarrays．Thin．f¨mtransistors(TFTs)werefabricatedwithasymmetricPdandScelectrodes． Westudiedtheelectronictransport characteristicsandinfraredphotoelectronicpropertiesoftheTFTswith differentchannellenqths．Thephysicalmechanism ofcarriertransportandthedissociationofphotoexcited carriesarealsodiscussed．WefoundthattheelectronicandphotoelectronicpropertiesoftheTFIswere dependentonthechanneIlengthandtheaveragelengthoftheCNTs．Theon／offratioofthedevicewasthe lowestwhenthechannellengthofthedevice(L)waslessthantheaveragelengthoftheCNTs(Lo．T)，andit 1ncr