关于透明导电ITO薄膜的电学极值问题地研究.pdfVIP

关于透明导电lT0薄膜的电学极值问题的研究 陈猛 王曦 (中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室，上海，200050) 孙超 黄荣芳 闻立时 5) (中国科学院金属研究所，沈阳，11001 STUDYOFELECTRICALLIMITSOFTcoFILMS M．Chen’XWang BeaIll InstitLlteofMetallurgy (I(In Laboratory，Shanghai Shan曲ai，China，200050) 耳 CS n R HUan S We g hn R ．n theCl．neSeCa，U L锄 0f●SCenCeS She an C ( 【 SL 1^t t e)f哺 0ta eSeaC y y g l i O0l 5A) [摘要]：基于有效质量的载流子浓度修正计算了电离杂质散射对IT0薄膜电学极限的贡献。研究表明，修 正后的电离杂质散射机制界定了Iro薄膜载流子迁移率的上限和电阻率的下限。 tothe ofITOfilmshasbeenstudied 一6sf瑚c}j^ttributionofioni【np¨rityscatteringconcluctivity onthe ofeffectivemass叽carrierc。ncentratlo儿Correctedionimpurity based dependence anddo帆limltsof ofIT0 theup1imitsofmobility resistiVity scatteringcompletelypredicted films． 一、前言 透明导电氧化物(Thmsparelltconductiveoxide，TcO)薄膜是目前蓬勃发展的重要的电磁功 能材料之一．它们由于具有优异的光电性质而在各种光电器件中得到广泛应用，包括平板显 示器(LcD，PD只EcD，EI。D等)的透明电极，红外反射涂层。电磁防护屏等．这些性质包括可见 光区高的透射率(~90％)，紫外截止特性(T℃o薄膜的光学禁带宽度一般大于3．20eV)，红外区 高的反射率(～80％)以及对电磁波的强吸收特性和低的电阻率(~104n．cm)等．目前平板显示器 技术所展示的极其广阔的市场前景，是人们研究TcO薄膜晟主要的动力源泉1． 目前尽管人们己开发了多种1℃O薄膜，但最重要的包括以‘三种，sn掺杂的In：O，(ITo)2， 无毒、工艺条件相对简单以及同IT0可比拟的光学性质等在最近的研究中得到人们的广泛注 视，但其电学特性尚不能达到目前ITOI薄膜的水平。因此，在丑前的实际应用中，11D薄膜 AunloL ac．cn cofre5pondl”gE—majl：mche¨@itsvLsim 76 是最为广泛的T℃O薄膜。实际应用中对TCO薄膜的两个主要的要求是高的可见光区透射率 和低的直流电导率。各种手段包括溅射、喷涂、cvD等均用于对1110I薄膜的制备，这些制 备手段的主要目的在于对ITo薄膜电学性质的改善上，人们力求获得