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2017-08-14 发布于安徽
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基于pH-ISFET片上系统地研究.pdf

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中国机械工程第16卷增刊2005年7月基于pH—ISFET片上系统的研究孙红光韩泾鸿魏金宝夏善红中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室，北京，100082 摘要：采用标准CMOS工艺实现了基于pH—ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成，该芯片包括差分多晶硅标准CMOS工艺流片，整个芯片面积2mmX 2．5mm，工作电压3．3V。在标准CMOS工艺代工的基础上，设计并实现了合理的后续工艺流程。微传感系统获得53．65mV／pH的灵敏度和很好的线性度。由此说明，把IS— FET微传感阵列与集成电路集成在单个芯片上构建智能型片上系统(SOC)是完全可能的，应用前景良好。关键词：ISFET；REFET；SOC；CMOS 中图分类号：TN386．1；TP212．3文章编号：l004—132 x(2005)S1一0176一03 A BasedMicroSensor On pH--ISFET SystemChip Sun Han Wei Xia HongguangJinghongJinbaoShanhong LabofTransducer of State—key TechnologyInstituteElectronics， Chinese of Academy Sciences，Beijing，100080 monolithic based Abstract：A microsensor hadbeen an pH--ISFET system developed，includingon--chipintegra— tionofdifferential ISFET／REFETdevices，a referenceelectrode(PRE)andfront—endmea— sensing platinumpseudo surementelectronics．‘A was processflow devisedtoallowtheISFETtObefabricatedinastandardCMOS post foundry withminimalmodifications．The hadbeenrealizedwithCharteredSemiconductor’S and chip 0．35肛m，4--metal2一poly CMOS and at3．3V．Thetotaldieareaisof5ram2．Themicro achievesa layer processoperated system sensitivi— superior of aswellasanenhanced of ISFET in ty 53．65mV／pH