基于运行模式切换的低不匹配误差高动态范围CMOS智能温度传感器.pdfVIP

第28卷 第 1期 传 感 技 术 学 报 Vo1．28 No．1 2015年 1月 CHINESE JOURNALOFSENSORSANDACTUATORS Jan．2015 A Low M ismatch ErrorandHighDynamicRangeCM OS Smart TemperatureSensorBasedonOperationalM odesSwitching SHAN Wentao，ZHANGPeiyong ，FENG Chenhui (InstituteofVLSIDesign，ZhefiangUniversity，Hangzhou310027，China) Abstract：A new circuitstructurewhichcanswitch betweentwooperationalmodesiSproposedtoreducethemis— matcherrorsofCMOSsmarttemperaturesensorsandensureahighdynamicrangeoftheoutput．Thenew structure canreducemorethan66％ ofthemismatcherrorincontrasttotraditionalcircuitbytheoreticalanalysis．Thesimula tionbetween一55 ℃ and125oCbasedOil0．18 mprocessshowsthatadynamicrangeofabout90％ whichiSlar— gerthantheoutputofPertijs’structurecanbeacquiredusingthisnewstructure．Thisconclusionisverifiedbychip testingresultbetween一10cC and 100℃ Keywords：temperaturesensor；mismatcherror；dynamicrange；CM0Sprocess EEACC：7230；7320R doi：10．3969／j．issn．1004-1699．2015．Ol-025 基于运行模式切换的低不匹配误差高动态 范围CMOS智能温度传感器术 单文焘，张培勇 ，冯忱晖 (浙江大学超大规模集成电路研究所，杭州 310027) 摘 要 ：提出了一种新的电路结构，通过两种运行模式的切换 ，可以在降低 CMOS智能温度传感器不匹配误差的同时，保证 输出有尽可能高的动态范围。理论分析得出，相对于传统结构 ，新结构的不匹配误差能减小66％以上。0．18IxrnT艺环境下 的仿真结果表明，在一55oC～125℃的温度范围内，输出能达到90％左右的动态范围，和Pertijs提 的改进结构相比，有较大幅 度的提高。芯片实测结果在一10℃～100℃的温度范围内证实了这个结论。 关键词 ：温度传感器；不匹配误差；动态范围；CMOS工艺 中图分类号 ：TP212．1 文献标识码：A 文章编号 ：1004-1699(2015)01-0142—06 随着制造工艺的快速发展，如今微处理器的电 片上。相对于铂电阻和热电偶等传统温度传感器，智 路密度越来越大，工作频率越来越高，随之而来的则 能温度传感器的主要优势有通信方便，兼容标准 是散热的困难，以及温度的不均匀分布。另一方面， CMOS工艺，可以通过集成电路大量复制的特点来降 随着工艺的进步不匹配误差会变得越来越复杂 j， 低成本，信号采集和处理的本地化使得测量抗干扰能 并且会随着工艺尺寸 的减小迅速增大 J。这也会 力更强。温度传感器的应用领域非常广泛，用于工 加剧芯片温度 的不均匀分布。因此就需要多个片上 业 ，消费电子等领域的智能温度传感器已经非常成 温度传感器来对芯片温度进行监控 ，以便在运行温 熟，特别是在微处理器的温度监控领域已经有着非常 度过高时触发相应操作