快中子辐照微氮直拉硅中氧沉淀的FTIR的研究.pdfVIP

陶瓷、晶体 快中子辐照微氮直拉硅中 氧沉淀的FTI R研究 刘丽丽 马巧云 陈贵锋 杨 帅 李养贤+ (河北工业大学材料学院天津300130) 摘要：对不同辐熙剂量，不同原始氧含量的微氮直拉硅在单管扩散妒中分别进行1100℃ 不同时间的一步热处理，利用傅立叶红外光谱仪检测间隙氧含量变化。实验发现短时间退火 对快中子辐照微氮直拉硅间隙氧含量上升，退火1h时迭到顶峰。在随后的退火过程中间隙氧 含量下降，退火24h后间隙氧含量降到最低，高氧样品氧含量下降明显。与未掺氯辐照直拉硅 相比，问隙氧含量下降延缓，24h退火后，微氮直拉硅的间隙氧含量较朱掺氯直拉硅低。 关键词：中子辐照微氮直拉硅氧沉淀 1 引言 直拉硅中的氧是在晶体生长过程中引人的(大约1400％)，在一般器件制造的温度范围(≤ 1200℃)以间隙态存在的氧处于过饱和状态。在器件工艺的热循环过程中，由于间隙氧固溶度的降 低将会产生氧沉淀。适量的氧沉淀能增加硅片的机械强度。氧沉淀及其诱生缺陷作为杂质吸除中 心可消除器件工艺巾引入的有害金属杂质。温度是影响氧沉淀的主要因素之一。低温600％一 在较短的时间内得到较多的氧沉淀，通常是将硅片在低温退火，形成氧沉淀的成核核心，然后再在 高温退火促进氧沉淀的长大。在中子辐照的过程中，硅片体内会产生大量的亚稳态缺陷一辐照损 伤缺陷[21(如空位型缺陷、间隙型缺陷、缺陷一杂质复合体、无序区等)，从而使氧沉淀的退火行为不 同于普通直拉硅。辐照引入的空位能消除氧沉淀引起的体积蟛胀丽产生的失配应力，促进氧沉淀 的形成。另外，部分较稳定的缺陷可以作为氧沉淀的核心，省去普通直拉硅中低温成核的阶段，使 快中子辐照直拉硅经一步高温退火即可形成大量的氧沉淀，极大地简化了退火工艺。微氮直拉硅 中少量的氮杂质能够促进原生氧沉淀的生成b1；在器件制造过程中能促进氧沉淀，增加硅片的内吸 杂能力；杨德仁等用实验说明在低温退火(700。C)时，氮杂质对氧沉淀有促进形核的作用而中温退 火(1050％)时，氮杂质对氧沉淀的生长没有明显的影响【41；在高温下，氮促进硅中氧的外扩散”J。 2实验 230 华北地区硅酸盐学会第八届学术技术曼流会论文集 处弹，以氨气为保护气氛。待炉温升到所设温度后，将样品放到石英舟上。用石英钩将石英舟缓慢 地推入石英管中部的恒温医内并开始计时。达到退火时间后将石英向快速拉出，使样品自然冷却。 然后将样品在HF酸中浸泡2—3min以去除样品表面产生的氧化膜。在常温F，用HIR检测巡火 前后样品中的间隙氧含量，所用转换因子为3．14×10”atoltls／cm3,并得到样品的常温红外光谱。利 用氦气压缩机循环制冷，对样品进行低温红外测试，温度为20K，每个样品扫描256次，得到样品低 温下的精细光谱图。 表1快中子辐照剂量及辐照后的间隙氧含量 样品编号 AO Al A2 A3 上j【) 131 B2 B3 辐照剂量(11·cm。) O 1 x1016I×10t7 1×1俨 0 I×1016 l×10” I×1018 59×10175．8x 5．3×10174 6x10‘791×10178 x10178．2×101773X10。7 [O：](atoms·c111。) 1017 9 3结果与讨论 3．1 A样品间隙氧含量随退火时间的变化 时间的变化曲线。A样品经o．5h或lh退火后，间隙氧含量达到辐照前水平，后问隙氧含量下降， 下降幅度随退火时间延长、辐照剂量增加『酊增火。lOb退火以后，问隙氧下降迅速，遇火20h后，问 隙氧含量下降趋势变缓。24h退火后，间隙氧含量摹本不冉变化。 tim*(h) AnneMing 圈1 I100。C退火盾。A1一A3样品的间隙蕺含量随退火时间的变化曲线 3．2 B样品间隙氧含量随退火时间的变化 时间的变化曲线