金属Ni%2fMn%2fBaTiO3基复合PTC材料显微结构地研究.pdfVIP

第34卷 增刊 稀有金属材料与工程 Vol 34，Suppl 2005自： 6月 RAREMETALMATERIALSANDENGrNEERJNGJune2005 显微结构的研究 郭晓琨，曲远方，单丹，马卫兵，郑占申 (天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室．天津300072) 理工艺对PTC复台材料微观结构和性能的影响，并就其微观结构对复台PTC材料电性能的影响进行了分析。结果表明， 复合PTC材料的_甲均品粒H寸；适当的氧化处殚可以使在局部还原气氛下烧结的复合PTC材料具有较好的PCTR效应。 关键词：金属Ni：金属Mn；PTC；复合材料 中固法分类号：TM282 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2005)Sl一0765—03 1 引 言 PTC陶瓷是正温度系数热敏电阻陶瓷的简称。该 材料利用PTC陶瓷电阻温度的非线性，可开发和应用 皂 于很多领域。施丰掺杂BaTiO，半导体陶瓷具有很大 ： 的电阻正温度系数。受主杂质的引入可以在很大程度 上改善和提高PCTR效应，这已经是被研究者公认的 事实‘。”。 2实验 ⅡlNi／％ 采用传统r艺制各BaTiO，基PTC陶瓷粉料，该 图1 Ni质量分数与复合材料的室温电阻率 粉料中加入了一定量的金属Nj和金属Mn粉末，其中 和升阻比的关系llll线 Ni PTC andnt VS content 金属Ni的加入量为O％～20％(质量分数，下同)，金属 Fig．1 jump resistivity Mn的加入量为O％～0．16％f摩尔分数，下同1，崩WQJ．1 型精密万用电桥测量试样的室温电阻，用阻温特性测 幽2是复合材料的扫描电镜照片，黑框一1i的小球 试仪测量试样的阻温特性曲线，对复合材料进行了 状，较均匀地分布丁-陶瓷体中，并被晶界相所包裹。 XL．30型扫描电镜(SEM)对 XRD分析，用Philips 试样进行了形貌观察。 BaTiO，陶瓷的晶粒为n型半导体。F|_iJ：晶界材料的本 征性及高度无序性，其电阻率极高。金属Ni在复合材 3结果与讨论 料中的分布有2种可能， 种为分布于晶界相中并且 3 1金属Ni对复合PTC结构的影响 与晶粒接触，另一种为分布于晶界相中而不直接与品 本实验中加入金属Ni为0％～20％，通过对比实粒接触。第1种情况下在晶界相中的金属Ni在晶孝蕾之 验发现金属Nj的含量越高，复合材料的室温电阻率越 间形成欧姆接触具有很低的接触电阻因而在晶粒问构 小。图l为Ni含量与复合材料的室温电阻率的关系曲 成了导电通道，即在电压作用下，电子是从一个晶粒 线，随着金属Ni加入最的增加，试样的电阻率减小， 通过金属Ni越过品界到另一个晶粒的传输”j。第2种 但是与此同时如图所示升阻比也丰u应减小。 情况下的金属Ni虽然不直接接触晶粒但是其以导体 收璃日期：2004．12—28 作者简介：郭