磁电可调微波器件电调频带漂移模型.pdfVIP

磁电可调微波器件电调频带漂移模型 陈 晴周浩淼 邓娟湖夏哲雷 中国计量学院信息工程学院，浙江杭州310018 摘要：针对磁电可调微波器件外加电场可以调节器件频带漂移的现象，该文基于经典层合板理论 及Smith-Beljers理论，建立了外电场作用下磁电层合结构铁磁共振频率漂移模型。对PZT/YIG/ GGG3层磁电层合结构，该理论模型可以在定性上有效的预测施加平行和垂直的外磁场时，电调 FMR频率漂移方向相反的实验现象，进而为磁电可调微波器件电调频带漂移现象提供了理论 基础。 关键词：磁电层合结构；应力/应变；铁磁共振；频率漂移 TN911 A 14 杭州电子科技大学学报 2012正 矢量，[Q]为刚度矩阵，fe)为压电致变矢量。本节主要研究电致3层磁电层合结构应力／应变耦合机 理，因此，将图1所示的磁电层合结构视为一个整体，则该磁电层合结构的结构应变{￡)可由中面的应 变￡o和曲率K表示：{￡)={so)+z{K)。 层合结构上无其他外加机械力作用时，该层合结构的合力N+和合力距M‘表示为： 睁∞一㈤ ㈩ 【N’M+】=∑E，{9e)[z。一z㈧半] (2) 式中，A为拉伸刚度矩阵，B为耦合刚度矩阵，D为弯曲刚度矩阵，z，、Z：、Z，和Z。为层合结构各层的 表面相对于x—Y面的距离，z为铁氧体中面到x—Y平面的距离。因此，由式2可得到合力N‘和合力距 M+。计算式1、2，可以求得中面的应变矢量{￡o)和曲率矢量{K)，从而得到应变矢量{￡)。铁磁层的应 力／应变本构方程为：。盯)=[”Q]{￡)。于是，最后可以求得在垂直电场E，作用下的铁氧体层的应 力“仃： m (3) (Dl+D2)(A1+A2)一(B1+B2)2 图1 磁电层合结构示意图 图2 3层磁电层合结构z—Y面截面图 2应力对频率漂移影响的理论推导 对于磁电层合结构中的铁磁性薄膜，其总自由能密度可以表示为： E=E。+E：髓m蚰+Ed。m+E。。i。 (4) 式中，E。为应力能，E。。。为塞曼能，E蛔为退磁能，E=is为磁晶各项异性能。 由于研究的是YIG／PZT中外加电压导致逆压电效应产生的应力对FMR频率漂移的影响，当铁磁 性薄膜的饱和磁化强度不高时，为达到相同的FMR吸收频率必须施加更大的偏置磁场。当偏置磁场远 大于面内各向异性场时，由磁晶各项异性能造成的FMR频率漂移可忽略不计。图1中，假设偏置磁场 H与z轴的夹角为0。，与X轴夹角为‘PH，磁化强度M与z轴的夹角的方位角为0M，磁化强度与应力方 向的夹角为‘P，则式4可表示为： 7r E=一i．3人盯cos2‘P一2 (5) 式中，M为饱和磁化强度。为简化计算，将偏置磁场方向取在x—z平面内。此时，‘PH=O，且由平衡 谐振的平衡条件为： 【了J J ∞’(6) ㈡2=丽1【装一(袅v--)2】2丽【丽一【瓦丙J 第5期 陈晴等：磁电可调微波器件电调频带漂移模型 15 考虑应力沿x轴方向，结合式5、6，以及平衡时的能量最小原理，可得： (玎=【一3守cos2旷4