P型GaN的Ni%2fAu合金电极的I-V特性分析.pdfVIP

l十■■士■化—●■雌●俸．徽魂-件和生t●件簟丰●-啦 P型GaN的Ni／Au合金电极的l-v特性分析 王彦杰杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚张蓓张国义胡晓东 北京大学宽蘩带半导体研究中心 北京大学物理学院100871 摘要。车文运用传输线方j虫(TLM)测量了P型C-aN的合金后的Ni／Au电极的接触电阻车和电流．电压(I-V)关系， 推导了宫盘的Ni／Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压cj-v)的关系．在考虑热发射机制和镜像力的基础上， 递过对P型G_N的Ni，Au旨金电极的I．v特性分析，进一步得出势垒商垂6’0．41竹。受主浓度虬-4XlOI’cⅡ^稚 带弯曲巧-026V,和B一昂=O．15eV·这些结果与理论值和其它实验结果符合得很好． 关键词，p-OaN，传输线，镜像力．Ni／Au电撮 1．引言：GaN基材料在光电器件，如发光二极管和短波长激光二极管等方面有重要而广泛的 应用fl捌。近年来，GaN基材料在电子器件，比如金属一半导体场效应管，高迁移率电子器件方 面，也受到极大的关注。然而，以GaN基半导体pn结为基础的所有器件，都涉及到在P型 Gain与金属电极之间难以形成良好的欧姆接触的难题，这依然是制约GaN基器件进一步发展 的一个主要因素。一方面，由于缺少与P型GaN功函数匹配的金属材料来消除肖特基势垒： 另一方面，P型Gain中的空穴浓度难以达到10”cm’的数量级来降低势垒厚度，这就使接触 电阻率难以降到10—4Q+册2以下。目前P型GaN的欧姆接触所使用的最主要材料是合金的 NVAu，但合金的NUAu与P型GaN形成欧姆接触的原理仍然存在争论。 为了深入了解合金的NVAu电极的性质以及对器件输运性质的影响，我们研究了合金的 NVAu与P型GaN的接触电阻率的动态变化，发现随着外加电流的增大，接触电阻率也在降 低。B．Masaaki Onomura等人以前也发现了类似的行为【4J。我们认为此现象应该存在于许多实 际的器件中，因此，有必要深入研究接触电阻率的变化趋势。本文采用修正的传输线方法， 考虑热发射机制和镜像力作用，推导出了NYAu合金电极和P型GaN接触处的电流密度与电 压(j．v)的关系：通过分析j_v曲线，我们得出了载流子的输运机制和电极与P型GaN接触 的能带关系。在一定工作电流下的接触电阻率才会对器件有实际的影响。 2．实验本文中使用的外延层是用金属有机化学气相沉积(M0aⅢ)技术长在蓝宝石衬 的掺Mg的P型GaN。样品生长完成后对其在8000CN2气氛下退火，从而激活Mg受主。通 h_。 传输线方法研究样品的输运性质。用光刻技术和千法刻蚀技术在样品表面刻出孤立的传输线 结构的台阶，再用电子束蒸发镀膜方法在样品表面蒸镀Ni／Au(2(hm／20nm)电极，电极大小 欧姆接触。最后，用Agilent4155C半导体参数分析仪测量传输线结构样品的电流一电压(I-v) 关系。 3．结果与讨论当电流的变化范围从0到lmA时测得样品同一台阶上间距不同的相邻电极间 的I-V曲线，如图一所示。各I．v曲线的线性度并不一致，电极间距越小，线性度越差，电 l十曰■辔■代t■牛●雌，tt●伸和生lI件料●’取 ，冒—嶙2006阜11一 极间距为10um的I-V曲线的线性度最差。间距越小，接触电阻与电极间的电阻相比越大，因 而更能显示出接触处的I．v特性，所以我们认为电极与样品间为肖特基接触．测量I．v的等效 电路可以看成是两个背靠背的肖特基结外加。个串联电阻。。其中一个肖特基结被加以正向偏 压，另一个被加以反向偏压。在反向肖特基结上的电压降将远大于在正向肖特基结上的电压 ‘ ． 1一 ． 。’印c 。’‘ 降，因此测量的总电阻可