半导体材料β-FeSi2的外延生长及其发光二极管的研制.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 半导体材料13一FeSi2的外延生长及发光 二极管的研制 李成，赖虹凯，陈松岩 厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，福建省厦门361005 末益崇，长谷川文夫 日本筑波大学物理工学系，日本筑波 摘要：过渡金属硅化物p-FeSi。是具有直接带隙特性的半导体材料，禁带宽度约0．8eV， 是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器件等有发展前景的硅基材料之一。 我们采用分子束外延系统在Si(100)衬底上外延生长TD-FeSi：颗粒并系统地表征了材料 的结构和性质。研制出工作波长约为1．6微米的室温发光二极管。 关键词：p-FeSi2，光学性质，发光二极管 1引言 硅基材料是微电子电路的基石，然而，硅是间接带隙半导体材料，带间跃迁几率很小， 因此在光电子领域特别是发光器件制作方面有着很大的局限性。光电子集成化模块需要硅 基发光器件以实现低成本单片集成。探索硅基光源成为近年来的热点课题，并取得了令人 瞩目的进展。如已经实现了纳米硅的电致发光，SiGe／Si低维结构以及掺铒Si的发光等 u。1。尤其令人鼓舞的是2005年在Intel公司延生了硅基Raman激光器H。。种种迹象表明， 硅基发光器件的实现已不再是一个遥不可及的梦想。 本文将介绍另一种硅基发光材料，p-FeSi。的外延生长及室温发光二极管的实现。虽 然p—FeSiz的能带结构仍存在争议，但认识渐趋一致，即体材料为间接带材料，外延薄膜 由于晶格的不匹配，热膨胀系数的不同以及形成合金时体积的变化，处于应变状态，在适 当的应变条件下，p-FeSi。的能带结构由间接带转变为直接带隙，且带隙刚好在二氧化硅 光纤吸收最小的波段，特别适合于光纤通信用光源，因此成为硅基发光二极管的有力竞争 者‘5州3。 2 p-FeSL的生长及表征 半导体B—FeSiz结构复杂，为四方晶系，属Cmcn空间群。每个元胞中包括16个分子 (由32个Si原子和16个Fe原子构成)，同一种类的原子在晶格中的位置略有差别，即 c=O．7833nmu 2|。晶格常数b和C的差别较小。与Si基衬底(金刚石结构)没有传统概念 上的晶格匹配，但在界面存在周期性的几何对称性，在适当的晶体取向下可使失配很小， 因此将p—FeSi。薄膜外延生长在Si衬底上是可能的。我们用固态分子束外延(MBE)系统， 底，表面形成一薄层氧化硅保护膜，送入mBE生长室中，在850。c下退火去掉氧化硅保护 膜：在700。c下生长200nm本行石睾缓冲屡．存适当的衬底温度下用电子束蒸发一层Fe，Fe 在蒸发的过程中与衬底硅反应形成15nm厚的B—FeSi。薄膜，在高真空下8500c退火-4,时， 形成B—FeSi2颗粒。然后在500。C下生长400nm本征Si和400hmP型si，形成P—i—n二极 ·273- 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 管结构。最后在Ar气氛中900。C下退火14小时，以进一步提高材料的结晶质量。 图l示出样品的平面电子透射显微镜照片，从图中可以看邮-PeSi。颗粒分成两类， 一类尺寸较大，直径约为300hm。另一类尺寸较小，直径约为40一lOOnm。图中也给出了 晶体，相差不大的b和c轴的取向有互换，由两套’珩射图样叠加而成。理论计算表明，具 3|。 有这种取向的D—FeSiz处于应变状态，将从间接带隙转变为直接带隙u 样品的光致发光谱随温度的变化关系示于图2中，从图中可以看出，在0．81eV附近 有较强的光致发光峰，该峰被认为是p—FeSiz颗粒的发光。虽然在si样品中位错发光D1 峰位也在该区域，但是我们从TEM的截面图中没有观察到位错的产生。 兮 3