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半导体器件寿命计算 蔡玲芳 中国电子科技集团公司第三十六研究所，浙江嘉兴314033 摘要：该文简要介绍通过半导体器件的环境试验计算器件寿命。首先介绍了4种加速模型，以及 各模型的应用；其次，根据给定的置信度水平以及试验结果查x2分布表；而后，根据试验时间和样 本量求得失效率；最后，根据电子元器件服从指数分布的假设条件，求得器件的寿命。 关键词：半导体器件；寿命计算；失效率；阿伦纽斯模型 TN304.01 A 第5期 蔡玲芳：半导体器件寿命计算 133 州¨)=expIS(V一。一V川e印[}(七一去)](2) 式中，AF(r，y)——温度、电压加速因子；V。。——实际使用的电压；V。～——试验时施加的电压； B——系数，根据不同失效机理取值，默认值为1。 其余参数同Arrhenius模型。 1．3 Peek模型 Peck模型也为Arrhenius模型的扩展，适用于温度、湿度加速的试验项目，模型计算式如： 州?，rh)=rhs”…e=-卜…Ea／T1=一恚)】 (3) 式中，AF(r，m)——温度、湿度加速因子；rh。。——实际使用的湿度；rh。。一——试验湿度；n——系 数，一般取值为3。 其余参数同Arrhenius模型。 1．4 Coffin-Manson模型 Coffin—Manson模型适用于温度变化的加速试验项目，模型计算式如： c AT st—ress) (4) AF(AT)=(—鬲x 式中，AF(△丁)——温度变化加速因子；AT。。。——试验温度变化值；AT。。。——实际使用的温度变化 metal metal fracture 值；c——材料特性系数，在1—9之间取值(ductile1—3；hard 3—5；brittle 6—9)。在 无法得到详细信息的情况下，通常保守估计c取值为4。 1．5多应力综合加速模型 当器件的工作环境同时存在温度、电压、湿度应力时，假设应力之间没有相互影响，则可以认为这种 多应力综合条件下的加速模型为： AF(T,V,rh，=(鲁)nex州BV。。也，，exp嘲(1一去)]㈣ 式中，AF(r，y，砌)——温度、电压、湿度加速因子。其余参数同上。 2失效率计算及寿命计算 半导体器件通过相应的加速试验，可根据试验具体条件、结果及置信度，选取合适的加速模型，计算 器件的失效率。根据文献4知，失效率的置信上限计算式如： 入=黑 ～u， ^一2tss 式中，x．2f+2——x2分布，根据置信度和自由度查GB／T 2——自由度，f为失效数；t——试验时间；ss——试验样本量；AF——加速因子。根据具体试验，按章节 1选取恰当的加速模型。 假设电子元器件的寿命服从指数分布，则平均寿命即为： MTTF=1／h (7) 3典型案例 例某IC器件实际使用时的温度为45。C，为验证该器件的性能以及估算其平均寿命，采用加速寿 命试验的方法。用22只该类Ic进行85。C高温试验，试验时间为1000h，试验结束后无失效。在置信度 为90％的条件下，计算该器件的平均寿命。 答(1)该例为温度加速试验，故选取Arrhenius模型作为加速因子的计算式。 LifetimeCalculationofSemiconductorComponents