晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展.pdfVIP

； 期 CHEMICAL化AN学AL分YS析IS计量 Vbl24．NO．2 AND METERAGE Mar．20l5 doi：10．3969／j．issn．1008-6145．2015．02．031 晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展 毛智慧 ，周文韬 ， 田琦 ，赵建为 ，金波 (1．昆明冶研新材料股份有限公司，云南曲靖 655000； 2．云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室，云南曲靖 655000) 摘要 综述了晶体硅材料中杂质元素含量测定的分析方法研究进展。晶体硅材料中杂质元素的分析方法主要 包括红外吸收法、--)L离子质谱法、中子活化分析法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法、x射线光谱分析及 其它分析方法，引用文献 41篇。 关键词 晶体硅；杂质；分析方法；综述 中图分类号 ：0655 文献标识码：A 文章编号：1008-6145(2015)02—0102-04 M ethodsforDeterminationofImpurityElementsi11CrystallineSilicon MaoZhihui，ZhouWentao，TianQi，-，ZhaoJianwei，一，JinBo， (1．KunmingYeyanNew—MaterialCo．，Ltd，Qujing 655000，China； 2．KeyLabofYunnanProvinceOptoelectronicSiliconMaterialPreparationTechnologyEnterprises，Qujing 655000，China) Abstract Theresearchprogressofmethodsforthedeterminationofimpurityelementsincrystallinesiliconwas summarized．Theanalyticalmethodsincludeinfraredabsorptionmethod，secondaryionmassspectrometry,neutron activationanalysis，glow dischargemassspectrometry,inductivelycoupledplasmamassspectrometry，X rayspectrum analysisandtheotheranalyticalmethods．41referenceswerecitedinthispaper． Keywords crystallinesilicon；impurityelement；analyticalmethod；review 晶体硅材料中的杂质元素主要有碳 、氧 、硼、磷等非金 1 碳、氧、硼、磷等杂质元素的分析方法 属杂质和铁 、铝、铜 、镍、钛等金属杂质。 1．1 红外光谱法 碳是硅单晶中一种很重要的杂质 ，主要存在于直拉硅 碳 、氧、硼、磷等杂质元素分析方法主要有红外光谱法 、 单晶中，在区熔硅单晶中偶尔也能观测到。硅中的碳会使器 二次离子质谱法、质子活化分析法 、气相熔化分析法等 其 件的击穿电压大大降低，漏电流增加，对器件的质量有负面 中红外光谱法是测定晶体硅材料中碳 、氧杂质_兀素禽量最常 作用 ，在晶体生长中应该尽力避免碳杂质的引入。氧也是硅 用的方法，部分已成为国家标准 ，该方法特征性强，测定快 材料中一种主要的杂质，大部分是以间隙态存在。氧的引入 速，不破坏试样，操作简便，能分析各种状态的试样。住国家 可以提高硅片的机械强度，但过饱和的问隙氧会对硅材料和 标准GB／T1558—2009 中，采用红外吸收法测定硅中代位 加工器件的电学性