论显影垃圾对内层蚀刻余铜的影响及改善.pdfVIP

Formationand 201 图形形成与蚀刻Pattern Etching 3秋季国际PCB技术／信息论坛 论显影垃圾对内层蚀刻余铜的影响及改善 Code：A-074 Paper 孙英杰 李志明 深南电路有限公司，广东深瑚I 518053 摘要 内层蚀刻余铜 或称残铜 是内层蚀刻制程中的一种常见缺陷。它会导致内层短路， 引起PCB功能失效导致板件报废，是业界长期存在的一大困扰。通过研究发现，干膜 显影过程中，单体、光引发剂等疏水性有机高分子会形成显影垃圾，残留在板面导致 余铜，而且显影水质中Ca2+和Mg“的含量对显影垃圾的产生有很重要的影响。本文将对 显影垃圾的产生及改善进行阐述。 关键词 内层蚀刻余铜；显影垃圾 中图分类号：TN41文献标识码：A 文章编号：1009—0096 2013 增刊一0039-04 researchabout Improvement developingsludge ‘’ ’ n n ■ ● 0Iresidue0t lnlnner COpper layer SUN LI Zhi—ming Ying-jie inner of ininner isthemost defect causes AbstractResidue copper layer importantduringetching．It andresultsinfailureof findthatsomecontentoffilmsuchasInitiatorand shortcircuit research，we PCB．During resultedresidueof ininner Andwealsofindthat Monomercause Ca2+hM92+ developingsludge，which copper layee inwaterwillincreasetheamountof developingsludge． wordsResidueof inInner Copper Sludge Key Layer；Developing 1 引言 内层蚀刻余铜 或称残铜 是内层蚀刻制程中最主要的一种缺陷。它会导致内层短路 如图1 ，引起PCB 功能时效导致板件报废；同时大量增加内层AOI假点数，影响AOI设备效率，并且检验出的余铜需要人工返修， 浪费大量人力的同时，制约了板件流速。我司一厂内层蚀刻余铜FTY计算方法为：FTY exp ．余铜点数／大板数 量 ，前期FTY只有70％，导致板件内层短路报废率高达1％，内层检验AOI效率降低，修板数量多，板件出现滞 留，严重影响计划。 2 内层蚀刻余铜的主要类型及产生原因分析 2．1 余铜缺陷主要类型 经过大量的余铜拍图与分析，内层蚀刻非定位余铜主要为余铜表面无蚀刻痕迹如图2。 ．．39．． 图形形成与蚀刻PatternFormationand Etching 2013秋季国际PCB技术／信息论坛 图1 图2余铜完整 2．2此类余铜产生原因 NaCIO，体系作为再生剂的内层酸性蚀刻反应原理可以简单的表示为式 1 。 1 3Cu+6HCI+NaCl03—— 3CuCl2+3H20+NaCl 如图3所示，见光干膜在显影后保留下来，在蚀刻过程中，作为抗蚀层阻碍蚀刻液将铜层咬蚀，而无见光干 膜保护的铜在显影后裸露出来，在蚀刻过程中被咬蚀干净，这样便得到了客户所需要的导电图形。 [】【重[]喇匕】E蓼[] 图3 定位余铜产生原因为底片划伤导致定位性的见光干膜残留，导致余铜。由于此类余铜产生原因分析及改善 很容易，本文不讨论定位余铜。 此种孤立的余铜为蚀刻前有异物保护，而蚀刻后异物被去除。推测为显影段．蚀刻前异物导致此类余铜的产 生。打开显影机观察，发现传送轮及槽壁有大量黄色结晶，如图4。 图4显影机传送轮及槽壁大量黄色结晶 3显影垃圾的产生原因及分析 3．1显影垃圾的产生 塑化剂 Binder 等。在显影过程中，未见光干膜的光敏剂等成分并不能溶解在显影液中，这些有机基团会团聚 在一起，形成显影垃圾。 干膜曝光后发生反应可以分为三步： 1 光引发剂在UV光照射下形成自由基： 2 自由基与单体发生聚合反应，使单体不断增长： ．．40．． 201 Formationand 3秋季国际PCB技术／信息论坛 图形形成与蚀刻Pattem Etching 3 增长的自由耩‘了自由基之问、自由基与遮蔽剂或氧气发生反应，终止反应： w叭cH‘P。+w帆oI：甲。—÷w肌cH：F’‘Pl’c娜 x x xX 用图例来标示曝光与非曝光干膜为图5。 飞矗^。蔷产IlmlllHI 霸茹君7．黛嘲。 迎偶衢笸7． Fo赢‰H《：∞H* 吆峨。。耳 屯峨。 图5 显影