一种有效的4H-SiC+BJT结终端设计.pdfVIP

2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 一种有效的4H．SiCBJT结终端设计 元磊+张玉明张义门汤晓燕宋庆文 (西安电子科技大学，微电子学院，西安710071) 摘要：提出一种离子注入结终端扩展(JTE)和辅助JZ,(A、ssistant Rings，AR)4cfl结合的终端结构．其在传统 的JTE结构周围加入等剂量的类保护环结构，仿真结果显示该结构能更好的调制器件边缘和耐压层之间的电场 分布。通过优化注入剂量以及辅助环的间距与宽度，在集电区掺杂浓度为1×10¨cm～、厚度为101am的碳化硅 双极型晶体管上实现了BVfF0为1573V的击穿电压，达到一维理想击穿电压值的83％，并提出了器件在不同 电压应用范围下该结构的设计规则。 关键词： 碳化硅双极型晶体管 结终端设计 xidian@163．c()Ⅲ电话 十E—mail：yl l 引言 碳化硅(SiC)材料的优良特性使其在大功率应用领域受到了广泛关注，如今商用的材料、器件乃至 电路模块都已大批量进入市场。为了获得尽可能高的击穿电压，碳化硅功率器件的终端设计尤其重要。 从2000年第一个4H．SiC BJT的研制成功开始…，很多终端结构都被提出，例如Sei—HyungRyu等口J采用 u 传统的注入型JTE结构在20m厚的耐压层上实现了1800V的4H．SiCBJT，同时他们也尝试重掺杂的 保护环结构，在外延层厚度为15um时，得到了1000V击穿电压的器件pJ。此外，R．Ghandi[4j和JH Zhang[5116j 等将硅工艺中的刻蚀造型终端引入碳化硅BJT的工艺中，并获得了好的效果。但刻蚀型终端要求刻蚀工 艺必须精确控制到几十纳米，以满足基区耗尽层扩展来降低表面电场，这同时对外延工艺的均匀性又有 了更高的要求。实际生产中刻蚀型终端功率器件的击穿电压分散性较大，多数器件的实际击穿值离理想 值偏移较大J。相比较而言，离子注入更容易实现工艺的精确控制。本文在传统的注入型JTE结构基础 上引入等剂量的辅助环，通过优化终端之间的电场分布提高击穿电压，在一定厚度和浓度的外延层上实 现了尽可能高的功率优值。 2器件结构及击穿模型 E C 图lJTE+AR的4H—SiCBJT结构剖面图 71 2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 厚度为0．7肛m，保证器件在不穿通的前提下获得较高的电流增益；考虑到重掺杂下禁带变窄效应的影响， 基区底部到隔离槽的距离为d：为了获得较低的欧姆接触电阻，在基区接触区域下进行第一次离子注入， 采用sentaurus 离化而引起的复合率G可以由式(2—1)表示： (2-1) G=anrlon+％p％ 其中，口。和口P分别为电子和空穴的碰撞离化系数，％和％分别为电子和空穴的漂移速率。 式(2·2)和式(2—3)为okuto。crowell模型下的口。和口p表达式。 协2， 协3， 判据器件击穿的准则由式(2．4)决定，即电子或空穴的电离积分等于1时器件发生雪崩击穿‘91。 f‰(E)dx=1