氮空位对AlN光学和磁学性质的影响.pdfVIP

I 氮空位对AN光学与磁学性质的影响 姜良宝，左思斌，李辉，金士锋，王文军，王刚，陈小龙1 北京凝聚态物理国家实验室，中科院物理研究所，北京，100190 六方纤锌矿结构是AIN最稳定、最常见的结构，同时A1N也是带隙宽度最大的氮化物半 导体(带隙宽度约为6．2eV)。由于具有很高的热导率、较低的介电常数、较高的机械强度及 优良的化学稳定性，A1N及其合金在机械、电子、半导体照明、高温、高频、高功率器件及 紫外探测等诸多领域有着巨大的应用前景[1，2]。最近的研究结果表明，在A1N中掺入一些过 渡金属元素(如Ni，Mn等)后具有铁磁性，使其成为制作自旋电子器件的可能材料。但是， 对A1N掺杂后发光及磁性机理的解释一直存在广泛的争议和讨论。造成这种现象的一个非常 重要的原因是对本征缺陷(如氮空位，铝空位等)在A1N发光及磁性中的作用认识不够充分。 因此，如何理解杂质能级、本征缺陷等在A1N晶格场中的行为已经成为掺杂A1N发光及磁性研 究的核心科学问题。 本文从实验和理论两方面对缺陷形成能较低的氮空位在A1N发光及磁性中的行为进行了 研究。样品的制备在本课题组自主研制的中频感应加热生长装置中完成。典型的实验过程可 参考文献[3，4]。