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1310am
25.10Gbit/s AIGalnAsAnP应变多
量子阱DFB激光器
王任凡沈坤 阳红涛 岳爱文郑林陈晓莉
(武汉电信器件公司 湖北武汉430074)
摘
DFB激光器。采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波-g,结构,该激光器在室温下(25*C)阈值
dB,截止带宽(3dB)大于10GHz,
电流为8mA,斜率效率达到40%以上,边模抑制比大于35
关键词: A1GaInAs/In测p--D二F’B激光器激光器 聚酰亚胺填充倒台脊形波导,
并可关键-讯10。C-85C21,作.10Gbit/s 聚酰亚胺填充倒台脊形波鼽
件的高速率调制。我们采用增益耦合型光栅
一、Sl盲
结构制作10Gbit/s直接调制多量子阱DFB
作为通信系统的核心器件,高速半导体 激光器。优化设计光栅波长与材料增益谱峰
激光器的研制开发一直受到研究机构和器件 间的最佳失谐值,提高激光器的微分增益并
厂商的高度重视。其中高速直接调制 获得高的调制频率。在10Gbit/s直接调制
1310nm
10Gbit/s AIGalnAs/InP应变多量多量子阱DFB激光器的管芯制造技术上。
子阱DFB激光器激光器具有体积小、价格 我们采用聚酰亚胺平面化倒台脊波导结构;
低、低功耗和高输出功率等优点,近年来受到 并采用lift—off工艺技术,有效降低器件的各
人们越来越多的青睐。 种寄生参数,提高激光器的直接调制速率.
要提高激光器的频率响应R(,),主要要
二、器件的结构和工艺
提高张弛振荡频率^,提高微分增益90,减
1310nmAIGaln
小RC常数。为了达到以上的目的,我们在 我们研制的10Gbit/s
As/lnP应变多量子阱DFB激光器结构如图
激光器的设计上采用了AIGalnAs/InP材料
1所示。该结构利用两次M0cVD外延生长
体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱
完成。第一次外延生长,在n型InP衬底上
DFB激光器.由于A1GalnAs/InP应变多量
依次生长n—lnP缓冲层,AlGalnAs下波导
子阱激光器其导带偏移为AEc=0.72AEg.
层,AIGalnAsMQW有源层,AIGalnAs上
并且势垒层的带隙也比InGaAsP/InP材料
的带隙大,能有效地阻止高温下载流子的泄 波导层,及InGalnAs四元光栅层。然后,利
漏,提高量子效率,改善器件的高温特性,实 用全息光刻的方法,在光栅层上形成周期为
200nm的光刻胶的光栅图形,然后利用RIE
现高温无致冷工作。同时在AIGalnAs/InP
应变多量子阱材料结构中,载流子由高能态 或化学腐蚀的方法在光栅层上形成均匀的光
散射跃迁到低能态的驰豫时间缩短,实现器 栅。第二次外延生长,我们在光栅层上依次
一64】一
全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议论文集
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