10Gbit%2fs+1310nm+AlGaInAs%2fInP应变多量子阱DFB激光器.pdfVIP

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1310am 25.10Gbit/s AIGalnAsAnP应变多 量子阱DFB激光器 王任凡沈坤 阳红涛 岳爱文郑林陈晓莉 (武汉电信器件公司 湖北武汉430074) 摘 DFB激光器。采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波-g,结构,该激光器在室温下(25*C)阈值 dB,截止带宽(3dB)大于10GHz, 电流为8mA,斜率效率达到40%以上,边模抑制比大于35 关键词: A1GaInAs/In测p--D二F’B激光器激光器 聚酰亚胺填充倒台脊形波导, 并可关键-讯10。C-85C21,作.10Gbit/s 聚酰亚胺填充倒台脊形波鼽 件的高速率调制。我们采用增益耦合型光栅 一、Sl盲 结构制作10Gbit/s直接调制多量子阱DFB 作为通信系统的核心器件,高速半导体 激光器。优化设计光栅波长与材料增益谱峰 激光器的研制开发一直受到研究机构和器件 间的最佳失谐值,提高激光器的微分增益并 厂商的高度重视。其中高速直接调制 获得高的调制频率。在10Gbit/s直接调制 1310nm 10Gbit/s AIGalnAs/InP应变多量多量子阱DFB激光器的管芯制造技术上。 子阱DFB激光器激光器具有体积小、价格 我们采用聚酰亚胺平面化倒台脊波导结构; 低、低功耗和高输出功率等优点,近年来受到 并采用lift—off工艺技术,有效降低器件的各 人们越来越多的青睐。 种寄生参数,提高激光器的直接调制速率. 要提高激光器的频率响应R(,),主要要 二、器件的结构和工艺 提高张弛振荡频率^,提高微分增益90,减 1310nmAIGaln 小RC常数。为了达到以上的目的,我们在 我们研制的10Gbit/s As/lnP应变多量子阱DFB激光器结构如图 激光器的设计上采用了AIGalnAs/InP材料 1所示。该结构利用两次M0cVD外延生长 体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱 完成。第一次外延生长,在n型InP衬底上 DFB激光器.由于A1GalnAs/InP应变多量 依次生长n—lnP缓冲层,AlGalnAs下波导 子阱激光器其导带偏移为AEc=0.72AEg. 层,AIGalnAsMQW有源层,AIGalnAs上 并且势垒层的带隙也比InGaAsP/InP材料 的带隙大,能有效地阻止高温下载流子的泄 波导层,及InGalnAs四元光栅层。然后,利 漏,提高量子效率,改善器件的高温特性,实 用全息光刻的方法,在光栅层上形成周期为 200nm的光刻胶的光栅图形,然后利用RIE 现高温无致冷工作。同时在AIGalnAs/InP 应变多量子阱材料结构中,载流子由高能态 或化学腐蚀的方法在光栅层上形成均匀的光 散射跃迁到低能态的驰豫时间缩短,实现器 栅。第二次外延生长,我们在光栅层上依次 一64】一 全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议论文集

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