金刚石膜半导体热沉焊前表面金属化工艺的研究.pdfVIP

型堕竺型鉴墼墨墨 金刚石膜半导体热沉焊前表面金属化工艺研究 河北省科学院机电一体化中试基地 潘存海何奇宇崔文秀王志娜吴晓波 摘要金刚fi膜因=ll：优良州讥吁率和良好的电绝缘性能，为制造半导体热沉创造了极好的条 件。为了实现金刚石膜热沉应¨』|-半导体器件，焊|jf『必须金属化。本文利用电子柬真空蒸镀法研 究了：≯刚钉膜台属化工艺。金川“膜盘属化后薄膜化学成分分析采用Rutherford背散射谱完 成。盘刚石表面金属化石薄膜结e强度最高达到4．Okg／Ⅲm2。我们已经成功地将盒刚右膜热沉应 用-f二F导体激光器中，井娃示Hj惫剐百膜热沉的优越牲，进一步试验正在进行之中。 关键词：金刚石膜、表面金慰化、半导体热沉 1 前言 金圳石膜圜其宽檗带、飙的击穿电压、极高的热导率和电子、空穴迁移率等许多 优良性质而成为一刊，优质的1{l于材料：如可作商温、高压和抗辐射器件及半导体热 }j￡(敞热片)…。我们利用Pi流等离子体化学气相沉积(CVD)泫已经制备出热导率 刚石膜和传统半导体丛片捆IEjl勺小可替代的优势。几利，主要半导体材料热导率对 比如同l昕示。 金M《彳i膜表血稳定，根雉I‘i磺采用活性金属法焊接。金刚石膜热沉焊前～般采 用真空燕镀、磁控溅射等金属化『』法金属化…。金目4石膜表面金属化_T艺主要解决 金剐石碱碳键和金属之问缩彳}¨鼬，世金属化薄膜县有良好的附着强度以及与半导 2—5“ 第九扶争匿焊接全成色交皂 体芯片之问良好的焊接性能；并且能承受器件焊接过程中的高温以及工作过程中的 热疲劳；保证焊接和使用过程中金刚石膜表面和半导体芯片之嘲牢固结合。金刚石膜 热沉工艺的突破，对解决制约半导体器件输出功率、器件稳定性和亓j靠性超到至关重要 阳作用。 金属化工艺。金刚石膜金属化后的化学成分分析采用Rutberf—d背散射谱完成。 佥刚石表面金属化后薄膜结合强度最高达到4Okg／mm2，优化f一艺结合’#固度超过国 内报道的最高结合强ll|：。我们已经成功地将金刚石膜金福化媳沉应用于半导体激光 器中．并显示出金刚打膜热沉的优越性，边一步试验正在进行之q’。 利用D∽一450鼎电子束真宅蒸镀法研究r金刚石膜表面瓮属化丁艺。蒸镀材料 钛、铜、镍、金纯度为9999％。金刚石膜金属化后的化学成分理化测试采用5sDl卜2 岜拉拨测试仪，金川石膜金属化薄膜结合，ii固度采用我们专门垃计垂卣拉拔测试仪 完成的。 3试验结果及讨论 3 1结台强度测试结果 几弦i艺惦台壤度日试皑孽平幽衄 阁2金Ⅲ杆殿金属化Ti／cu／Nt／Au体系乖卣拉拔强度试验结果 不同T艺金H4打膜金属化历7诤艇结合搬}望测试结裳m[圈2所d；r、 第九次全国焊接会议论文舆 金刚石膜金属化后缩合强度采用我们专门设汁的垂直拉拔测试仪完成的，结合 强．r蔓是判断金刚石膜金埔化工艺优劣的最重要的参数之一。结台强度最高达到 4，,)kg／mm2。因目前尚未拽刮合适的粘合剂，优化工艺多数从粘合剂处断裂，实际结 合强度比以上数据还登确。(国际文献撤道最高7．7kg／mm。，国内文献报道最高 2．5 kg／mm2)¨151。优化：I‘翟结合牢周度超过国内报道的最高结合强度。 3．2 Rutherford背敞刺潜成分分析 盘刚石膜金属化TiICu，7、。／Au体系的 每-层均有不同的作用。馈是金剐石膜 金胤化最关键的一层；铜H育良好的导 电、导热性能，但在半导体鹰用中不希 望它扩散到表层；镍阻挡铜向外层扩 散；金保护金属化层抗氧化，同时又具 有良好的焊接性能。 利用Rutherford背敞射谱分析了 Ti／Cu／Ni／Au金属化体系曲i不同工艺条 件下金属化层的化学成分变化。 eⅡAtjI皿 Rutherford背散射谱分析结果如图 3(a，b)所示。 a钛、铜、镍化学成分局部放大 试样B#、c#、D#分别代表 Ti／Cu／Ni／Au体系金刚li膜金属化后无 热处婵、450。C／30mil3和800。C／30 min真空热处理条件下金属化层的化学 成分变化。其中，c#和B4试样相比钛、