反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨.pdfVIP

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2017-08-13 发布于安徽
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反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨.pdf

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反熔丝FPfA器件Y剂量率辐射效应规律探讨赵洪超，朱小锋，杜川华，袁国火 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳919信箱522分箱，621900) FPGA器件在武器和空间电子系统中应用越来越广泛，器件选择是实现系统抗辐射加固的有效方法之一。因此，针对器件选择进行FPGA器件丫剂量率辐射效应规律研究具有重要意义。 Ilm、0．8IXm和0．45umCMOS工艺，率辐照效应规律试验研究。三种反熔丝FPGA芯片分别为1．0 均通过VHDL语言编程设计为数值延时电路工作模式进行辐照试验研究。试验研究结果如表l所示。表1 A1020B、A1460A和A42MXl6延时电路Y剂量率辐照效应试验结果数据 Y剂量率 FP6A 炮次电路状态辐照效应结果 Gy(Si)／s 501．t s延时状态延时失效 1 1．18×107 零前11．61．ts触发未闭锁 A1020B 等待触发状态触发延时失效 2 2．34X109 零后0．8IIs触发未闭锁 s 延时高电平翻转13．211 l 2．53×108 固定301．ts延时未闭锁 A1460A gts 延时高电平翻转14．5 2 8．36X108 固定30las延时未闭锁固定152s延时辐照后重新计数延时 1 1．48×108 信号源作为时钟未闭锁 A42MXl6 固定152s延时辐照后重新计数延时 2 4．69×109 信号源作为时钟未闭锁高剂量率条件下仅出现了重新计数延时现象，未发生大电流深闭锁现象。硅CMOS器件的辐照效应主要是产生瞬时扰动效应和闭锁效应。时钟信号、复位信号和FPGA器件内部结构(如CMOS反相器)的Y瞬时光电流扰动均会影响电路正常工作，但通过对FPGA延时电路试验状态的分析，基本可以确定FPGA器件低阈值Y剂量率失效的主要原因是Y瞬时光电流引起了器件内部逻辑功能的失效所致。 FPGA通常由逻辑模块、I／O模块、和可编程互连资源组成。反熔丝FPGA的可编程互连开关不论采用ONO反熔丝技术还是MTM反熔丝技术，反熔丝在关状态时均为高阻，在开状态时也有上百欧姆的阻抗。因此，当高丫剂量率辐照引起的巨大浪涌电流通过反熔丝开关时，均会被有效的限流。件下均未产生闭