材料二次电子发射特性理论的研究.pdfVIP

真空与低温 增刊2 Vacuum＆Cryogenics 2011年12月 材料二次电子发射特性理论研究 陈益峰， 秦晓刚，柳青， 汤道坦， 郑阔海， 李存惠， 史亮， 杨生胜 ( 兰州空间技术物理研究所，真空低温技术与物理重点实验室，甘肃，兰州，730000) 摘要：航天器充放电效应故障大多都会引起卫星灾难性事故。对航天器在轨安全运行产生较大的影响。二次电子发射系 数是决定卫星表面带电速率和充电平衡电位水平的莺要材料特征参数。本文研究主要研究材料二次电子发射理论模型，分析 二次电子的产生、转移和出射对材料二次电子发射系数的影响，结果表明所建模型较好的拟和了材料二次电子发射系数随入射 电子能量的变化关系，为航天器充放电效应数值模拟和防护设计提供数据支持。 关键词：充放电效应；二次电子；能量；阻止本领 中图分类号：V419．3 文献标识码：A 1．Z2．045 DOI：10．3969，j．issn．1006—7086．201 1引言 航天器充放电效应可能会产生具有瞬时高压和强电流特征的电磁脉冲，导致航天器上的敏感电子元器件 损坏及组件误动作，干扰航天器与地面的通讯，甚至造成航天器飞行任务的失败【I-4t。目前国际上带电分析软件 相近分析软件需要输入所分析材料的十二个相关参量，可见带电软件计算结果的准确度很大程度上依赖于 所输入材料参数的准确度。 材料二次电子发射系数是影响卫星表面带电的一个重要因素，决定了卫星表面带电速率和充电平衡电 位水平，在绝对带电中的影响约占20％左右岭71。目前国际上已开展了较多关于材料二次电子发射系数的研 论模型。研究成果完善了带电分析软件的材料数据库，并用于航天器充放电效应仿真软件计算，指导航天器 材料选用和充放电效应防护。 本文主要针对材料二次电子发射理论模型研究，分析二次电子的产生、转移和出射对材料二次电子发射 系数的影响，计算材料二次电子发射系数随入射电子能量的变化关系，对于材料表面带电分析软件的建立和 防带电设计选材具有重要的作用。 2理论模型与计算结果 目前国内外对材料二次电子发射的研究已开展了大量T作。材料二次电子发射机理较为复杂，其过程 主要分为二次电子的产生、转移和出射三个阶段，材料二次电子发射总产额可用下式表示： 8Eo=．fn(髫，Eo)矾x)dx (1) 其中n(x，E。)为单位入射深度中能量为E，的入射电子产生二次电子的数量，只菇)为二次电子转移和出射函数。 n(x，Eo)与材料的阻止本领相关： n(x，昂)一上(掣) (2) ￡ 呶 其中s为激发一个二次电子所需能量的平均值，』磐为单位深度入射电子的能损。 收稿日期：201l—09_01． 作者简介：陈益峰(1981一)，男，江苏通州，工程师，从事航天器空间环境效应研究工作。 增刊2 真空与低温 2011年12月 Vacuum＆Cryogenics 229 二次电子转移和出射函数可表示为： 八菇)=曰·exp(-x／A驰) (3) 其中Ag为二次电子平均转移距离(包括俘获、弹性散射和非弹性散射过程)，8为二次电子脱离表面束 缚的参数(与材料特性相关，对于绝缘体材料，与能带和电子亲和势有关)。 (1)，(2)，(3)联立，可得： 瓣拿．f孥exp(√A腰)出