MOD法制备Al掺杂M型钡铁氧体薄膜的磁特性研究.pdfVIP

Ian 聂彦1，2 Harward2陈大明2，3Celinsl(i2 Zbigniew (1华中科技大学光学与电子信息学院，武汉430074：2 atColomdo univerS时ofColorados砸ngs，colorado Springs809073；3电子科技大学，成都610054) 摘要：本文利用有机金属化合物分解法成功制备了系列AI掺杂的BaM样品，经SQUID、 BFMR、AFM、ⅧM等表征后发现：随着Al含量的增加。其磁晶各向异性场有所增加： 且在200．300 K温度范围，制备的纯BaM样品的各向异性场变化率仅为3．57％，十分有利 于器件设计。 关键词：有机金属化合物分解法(MOD)：Al掺杂：M型钡铁氧体：磁特性：微波单片集成 器件 l 引言 随着器件向高频化、小型化方向发展，各类可应用于毫米波器件的薄膜材料引起了应用物理学界的 普遍关注【l】。工作在毫米波频率的基于铁磁共振(FMR)的信号处理器设备需要使用的材料要具有高的 磁各向异性和低的微波损耗。M型钡铁氧体(BaM)薄膜因其高各向异性、高饱和磁化强度而成为这 MOD)法则具有成分易于控 一领域的热点之一。有机金属化合物分解(metalIo．o唱anicdecomposition 制、无需真空系统、可大面积实现薄膜均匀生长并可与器件制备工艺兼容等诸多优势。 工作(还有其它掺杂的尝试，如Ni)，因掺杂水平的不同，材料展现出了高的、可调各向异性【2】。未掺 杂的BaM各向异性场为17kOe【3】，而通过Al掺杂后可增加至33．7l(oe【4】。大多数研究Al掺杂BaM的 工作都是针对体单晶样品或粉末材料来进行的。最近几年，已经成功使用脉冲激光沉积(PLD)或液相 外延(LPE)技术获得了高质量的纯或掺杂BaM薄膜，可用于新一代毫米波器件设计【2，5】。 内均呈现出较低的值(x=0时，47GHz处的FMR线宽为35oe，x=2时，108 GHz处的F胍线宽 为140 Oe)，同时它们还具有可调的高各向异性。然而，在没有外加磁场时这些材料却会显著的退磁。 出了一套可用于毫米波器件设计的铁氧体材料参数。基于这些认识，我们引入了一个新的制膜技术，可 在金属衬底上生长BaM型薄膜，进而进行了Al掺杂工作，并表征了其直流和高频磁特性。 2实验过程 2．1样品制备 x S S 火炉(R1A，He却uIse型号210)，整个实验在标准超净间中完成。 1) 73 结构，已经发现该层结构对BaM型铁氧体取向生长具有关键作用阴。 然后按设定化学计量比配置混合溶液，进行超声混合，采用旋涂工艺在室温下将前驱体溶液旋涂于 分别在空气环境下热处理后分别在N2和02中进行后期两步快速热处理，后期两步热处理的升温速率均 为5℃／s。需要不同厚度时则重复上述工艺，本实验所有样品均重复3遍，最终薄膜厚度约120m。此 工艺条件的选取是基于前期我们利用该方法成功制备高取向度BaM薄膜的工作基础之上【8】。 表l MOD法热处理工艺参数表 2．2样品表征 采用x射线衍射系统(xRD，Scintag PNA E836l A)对动态 显微镜(MFM)测量其静态磁特性；通过矢量网络分析仪(Agilentseries，model GHz频率范围。