GaAs+MESFET的红外温度分布精确测量.pdfVIP

GaAs MEsFET的红外法温度分布糟确测量 程尧海李志国孙英华张万荣吕长志 北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室 【摘要】本文利用美国RM—50红外微热像仪的最佳技术性能．采用校准和外推的 方法．成功地精确测量了栅长l微米CraA$MESFET的沟道温度分布。 【关键词】 幅射强度发射率空间分辨率 一 引言 对于功率半导体器件，其热性能是决定可靠性．进行可靠性预计的重要参数．而使用 红外徽热像仪测量半导体芯片表面温度分布是了解半导体热性能的重要方法之一．该仪器 突出的优点是可以直观的看到芯片表面的温度分布，看到热分布的毓态．可以看到热斑发 生和发生的位置。为器件可靠性设计，可靠性预计提供有利的依据． 硅平面工艺已被人们成熟的研究．近些年来．GaA$MESFET己技更多人重视．很多 人在探讨微波功率器件的参数性能．目前微机发展迅速，模拟功率器件温度分布的软件发 晨也很快，GaAsMESFET理想模型也被很多人建立起来，人们在电学法方面做了大量的 研究工作。理想的得到了微波功率器件的模拟温度分布状态图． 但是，实际上由于材料，工艺，设计等因素，功率器件实际工作状态下的温度分布并 不是理想设计状态和模拟状态．如何舞量工作条件下芯片的真实温度分布?擞红外摄像仪 测量则是一个根好的考证方法． 二徽红外摄像仪简介 1．我们使用的是美国巴尼新(BARBES)公司的型号为 Imager的摄像仪．介绍主要技术指标： (1)测试温度范围：环境温度—200℃ (2)使用仪器温度扩展附件可扩展测量至600℃ (3)温度灵敏度：对于3012物体为±0．1℃ (4)据有光斩波器和双轴扫描系统 可构成：A：每一秒一幅64条水平线连续图象 B：每两秒一幅128条永平线连续图象 ttm (5)探测器：锑化铟(IriSh)红外探头，吸收波长为I．8—5．5 (6)放大功能：图像可以电子放大3倍 (7)系统配置：徽机控制系统，专用图像处理硬件及专用软件程穿系统 (8)备有四个镜头：3倍；lO倍：40倍；100倍，最高空间分辨率15徽米 2．红外徽摄像仪工作原理： 红外徽摄像仪是利用红外探测罂来探涮物体在不同的温度下发射的幅射强度，通过程 序运算来测量温度。物体发射红外线的幅射强度与温度有关并且与物体的幅射率有关。幅 射率是指物体幅射能与在同样温度下黑体幅射能之比。黑体是指一种理想材料，它是理想 发射和理想吸收红外能，幅射率为1．0，实际上物体幅射率是小于1．0的。 -216· 幅射强度用N表示，幅射率用￡t表示． 幅射强度定义为单位表面从单位立体角向外爱射的幅射艟． 由下式表达：N2￡t×N¨T 式中： N=样品发射的辐射强度 ￡t5样品辐射率 N。2同样温度下黑体辐射强度 探嗣器接收到样品和周围背景反射的总辐射强度． 由下式裹达： NT=N+(卜e (2) t)No 式中：liT=从样品收集到的总辐射强度 N=样品的辐射强度 N。=周围背景的辐射强度 l一￡．=样品的反射率 故此式中(1一eJN。为样品周圉背景反射的辐射强度 将公式(1玳入(2)将得到 NT=eI×Nw+(1一et)No 又可写作N哪=(NT—No)／e。+N口 由此式可见，如果知道被测样品表面的辐射率￡．，红外徽热像仪可测出样品表面的 辐射强度NT，背景辐射强度N。由环境温度给出。于是可获得样品同样温度下绝对黑体的 辐射强度Nm，再由Nm—T关系曲线，便可求出样品的温度． 幅射率￡t的测量是首先设定两个