PLD法制备的外延Bi-%2c4-x-La-%2cx-Ti-%2c3-O-%2c12-(x%3d1)铁电薄膜.pdfVIP

2000年10月·广西-北海 第七届全国固体薄膜学术会议 铁电薄膜 俞挺。 康晋锋8连贵君6熊光成6韩汝琦8 ‘(北京大学微电子所，北京100871) 、北京大学物理系，北京100871) 膜。对薄膜进行的x射线衍射分析表明其在村底上实现了外延生长，外延生长的薄膜具有 铁电特性。 1．引言 近年来由于铁电薄膜在非挥发性铁电随机存储器(NVFeRAM)上的应用，受到人们的广 泛重视。与传统的E：PROM存储器相比，铁电随机存储器具有速度快，功耗低，可读，写次 数多等优异特性，因而在不久的将来极有可能取代现有的E21,ROM及其它有关的存储器。 要实现一个可实际应用的FeRAM，铁电薄膜必须满足以下几个原则：生长工艺要与现 存的半导体工艺兼容；具有较高的剩余极化值；无疲劳特性等。早期工作主要集中在 发现Bi系层状钙钛矿结构铁电薄膜∞ismuth layer．stluctured 铁电薄膜因为具有无疲劳特性，长的极化寿命和在亚微米厚度下，仍具有体材料的优良电 学性质等，成为当前铁电物理学中最热门的研究材料之一。可是SBT铁电薄膜也存在别的 缺点，例如它的剩余极化值还是偏低，制备工艺温度较高等。最近有人提出了一种新的有 可能应用在非挥发性存储器上的铁电材料BkJA鸭O。2∞LT)口]。该种材料也属于Bi系层 状钙钛矿结构，其剩余极化值比SBT要大．热处理工艺温度要比SBT小100。C左右，而 且无疲劳特性，具有很大的研究潜力，是一种值得进行深入研究的新型材料。目前尚未见 到对该种铁电薄膜的生长取向与其铁电性能之间关系的研究报道，我们对此展开了一些初 步的研究。 本文利用脉冲激光制膜法(PLD)，在L丑^JO，(LAo)衬底上制备了外延生长的新型 Bi山扔，012铁电薄膜。 2．实验方法 粉末按配比3．3：1：9(其中考虑到Bi元素烧结过程中的挥发散失，Bi摩尔配比过量lo％)混合 研磨均匀先在1000。C预烧；最后重新研磨均匀压成直径为30mm，厚度约为4mm的圆片在 1200。C烧结。 衬底温度为700。C条件下退火10分钟。最后在铁电薄膜上表面用rf磁控溅射方法镀上直 样品。 x射线衍射o-20l三I描方式用于测定BLT薄膜的结构及相对于衬底的结晶取向，X射线 衍射中扫描方法用于测定BLT薄膜在衬底上的外延结构。采用HP4284A分析仪测量了电容 15 2000年10月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 样品的高频C-V曲线。 3．结果与讨论 UhLaH30，：多晶靶的XRD衍射结果表明该Bi系层状钙钛矿结构化合物为比较纯的单 相，所有的衍射峰都可以用Bi。Ti30。2型正交钙钛矿结构来进行标定。 一兽5七3青：0ul 图l BLT／LSCO薄膜在LAO衬底上的 图2BLT／LSCO薄膜的X射线中扫描谱 x射线衍射圈 由于LSCO具有各向同性．低的电阻率和立方钙钛矿结构，其晶胞参数与铁电材料比 较接近，有利与铁电材料在其上实现外延生长，故其被越来越多地应用于作为铁电薄膜的 电极M。基于以前在LAO衬底上生长LSCO薄膜的经验，本实验中我们也采用LSCO薄 曲线。图中可看出：在23．50和47．90有两个很强的衍射峰，这一衍射系来自LAO衬底的(ooi) 晶面与LACO薄膜的(001)晶面的贡献。由于LSCO薄膜与LAO的晶格常数十分接近，因 而无法将两者的(001)面的衍射峰分辨开。除在32．8。有一微弱的(020师射峰外，BLT薄膜 出了BLT／LSCO薄膜在(104)晶面上的x射线中扫描结果，可以看出BLT薄膜在该晶面内也 是取向生长的。因此，该BLT薄膜样品为外延生长。 CuJl日蕾＆日o