IGBT的发展情况及特点分析.pdfVIP

第 3 期 微　处　理　机 N o. 3 2003 年 6 月 M ICRO PROCESSORS Jun. , 2003 ·综述· IGB T 的发展情况及特点分析 张国俊, 王　刚 ( 东北微电子研究所, 沈阳 110032) 　　摘　要　本文介绍了国外 IGBT 的发展情况及最新动态; 分析了各种新结构技术 IGBT 的特 点; 最后预测了该器件的发展趋势。 关键词　功率半导体器件　IGBT 　工艺技术 The D e ve lope d S itua tion a nd Fe a ture A na lys is Fo r IGB T Zhang Guo jun , et al ( , 110032) N ortheast M icroelectronics Institu te S heny ang 　　Abstract　Ex ternal developed situation and recen t developm en ts of IGBT have been in tro duced. Featu res of variou s new structu ral and techn ical IGBT have been analysed. T rends of the . device have been fo recasted Keywords　pow er sem iconducto r device, IGBT , p rocess techno logy 产品。第一代是以 50 年代出现的可控硅 SCR 为代 1　引　言 表。其优点是功率容量特别大, 目前的水平已达到 ( ) 绝缘 7000 8000 。但缺点是开关速度低, 关断不可控、 IGBT In su late Gate B ipo lar T ran sisto r V A 栅双极晶体管是一种新型的电力半导体器件。现已 因强制换流关断使控制电路非常复杂, 限制了它的 成为电力电子领域的新一代主流产品。它是一种具 应用。为解决 SCR 关断的不可控问题, 70 年代出现 有M O S 输入、双极输出功能的M O S、双极相结合 了以门极可关断晶闸管 GTO 和巨型双极晶体管 ( 的器件。结构上, 它是由成千上万个重复单元 即元 GTR 为代表的第二代产品。它们都是自关断器件, ) 胞 组成, 并采用大规模集成电路技术和功率器件技 开关速度比 SCR 高, 控制电路也得到了简化。目前 术制造的一种大功率集成器件。 的 和 的水平分别达到了6000 6000 、