十千瓦磁性微波等离子镀膜设备的研制概况.pdfVIP

十千瓦磁性微波等离子镀膜设各的研制概况 科研室张敬一高秀敏王剐昌 机电室李晖王青 ‘ (青岛市机械研究所) ● 关键词：十千瓦磁性铹破镀膜机电子回旋共振钕铁硼恒铁 摘要：本文简要介绍十千瓦磁性微波镀膜机的研制概况，调试中的一些现象和基 本结构．基本数据，也简谈美国专业厂家发展状况和经营方式，从而暴露出我们落后不 足之处和今后应努力的方向。 1 前言 微波等离子技术是“同步辐射”外最好的镀膜技术之一，结合DECR电子回旋 共振技术可以得到大面积、均匀性良好的等离子体，它不但电离度高，可不 受杂乱离子污染，更重要的是粒子平均能量范围为lO一35eV，不产生伤及基 片和膜的晶体结构的高能粒子，在类比工艺中镀膜温度最低，容易获得高质 量膜层。应用面非常广泛，有30余种膜和近十个行业都可应用该技术。美国 对大功率微波设备控制出口，小功率微波镀膜设备的高昂价格令人难以接受。 为振兴民族工业而不受制于人，我们研制十千瓦DECR—PCVD设备，以求在第三 代(宽带)半导体材料、光学、声学、传感器、机械和生物医疗领域得到应 用，使企业界有更先进的设备来制造新一代的材料，获得创新产品，争取更 高的经济效益。 2 美国专业厂家生产的设备概况 1987年Wavemat公司在美国成立，从事先进材科的等离子工艺过程中的微 波设备仪器的制造。发展并出售多种用途的微波等离子设备，包括 ⅥPgR355(2450,Mttz)、MS-200(91 源．可制造超导膜、高绝缘膜、是活性气体离子源和自由基源)。 MPI)R315i：己使用ECR和永磁体多极分布，无污染，可对半导体材料进 行各向异性蚀刻，进行高温VCD处理也不会损伤基片．可对芯片进行清洗。 硅蚀刻速度大于2000Ao／分，光致抗蚀剂蚀刻速度达16000Ao／分：Ⅲ一V族达到 147 um。 1jOoAo／分，各向异性蚀刻优于0．25 m’DR325i：等离子放电直径264毫米，微波功率500～1200瓦。 可用于处理晶带。 从该公司产品概况和特色可归纳为，大功率与小功率并存，基本功能是 沉积DF、DLc等，设备均有石英罩以防等离子体被污染，泵系统淘汰油泵， 实现无污染加热和温度监控，整机均进行测试，保证电磁辐射低于tiNSl’C95标 准。 有些可摇控调谐，可不拆卸设备清除炉内工作污染，不同用途和工况均 有不同型号专用设各。该公司经营特色是和用户紧密结合，按用户的需要调 整设备性能，直到用户满意为止。最后对多家的工况和需求进行归纳，综台 推出定型的设备出售。该公司以美高校为依托，有强大的技术实力，这是它 成功占领市场的基础。 3 十千瓦DECR-PCVD设备简介 我们采用的是线圈磁场和永磁体多极场混台型(见图1、文献1)，总 功率3【l千瓦．微波功率10千瓦，频率2．45GHz，电磁场强度0．0875T，最高达 (】．15 7I，永磁体为钕铁硼，设在不锈钢炉外，带屏蔽圈。使用温度不超过1000 ℃，实现了无污染加热，偏压二侣dV(】o(眦以内)，设备真空度为0．000lPa， 工作真空度1000—0．001Pa，使用油扩散泵和旋片泵获得，可以加分子筛阻挡 蒸汽逆扩散。气源，三路稳定混合气源(如H二、、、Ar、Cii。等)，一路液态蒸 发气源如(c。H。OH、Ce也)(见图2)，一路介稳定气源或剧毒、强蚀性气源(如 化真空计，计算比例可用道尔顿分匿定律计算。有辉光一弧光