缓冲层对NCio薄膜各向异性磁致电阻的影响.pdfVIP

第 3O卷 第5期 北 京 科 技 大 学 学 报 VoI．30 NO．5 2008年 5月 JournalofUniversityofScienceandTechnologyBering M ay2008 缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁致电阻的影响 姜宏伟 季 红 周丽萍 王艾玲 郑 鹅 首都师范大学物理系，北京 100037 摘 要 用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种 NiCo薄膜样品，在不同温度下对两种样品退火 ．结果表 明：在NiCo厚度相同的情况下，以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致 电阻 (AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品． x射线衍射 (XRD)的结果表明，NiFeCr／NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta／NiCo薄膜，且两种样品的磁膜 ／缓冲层界面存在较 大差异，这可能是造成两者AMR差异的原因．此外，对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质． 关键词 磁性薄膜；缓冲层；各向异性磁致电阻；织构 ；晶粒尺寸 分类号 TB383；O488．4 3 Influenceofbufferlayerson theanisotropicmagnetOresistanceofNiCofilms jlANGHongwei，JIHong．ZHOULiping．WANGAiling，ZHENG Wu DepartmentofPhysics，CapitalNormalUniversity，Beijing100037，China ABSTRACT NiCofilmsweredepositedonNiFeCrandTabufferlayersbyusingaDCmagnetronsputteringsystem onSisubstrates respectively．Afterdepositionthesampleswereannealedatdifferenttemperatures．Thestructuralandmagneticproperties weresys— tematicallystudied．Itisshownthatthevalueofanisotropicmagnetoresistance(AMR)ofthefilmwithaNiFeCrbufferlayerishigh— erthanthatofthefilm withaTabufferlayer．XRD resultsindicatethattheaveragegrainsizeoftheasmplewithaNiFeCrbuffer layerislargerthanthatoftheasmplewithaTabufferlayer，andthesituationoftheNiCo／NiFeCrinterfaceisdifferentfromthatof NiCo／Ta．ThesewouldberesponsibleforthedifferenceinAMRbetweenthetwokindsoffilms．Asuitableannealtraetmentisgood forthefilms． KEY WORDS mang eticthinfilm ；bufferlayer；anisotropicmang etoresistance；texture；grainsize 铁磁金属及其合金材料 的电阻率随 电流 和 达到微米、亚微米量级，因此磁性薄膜的退磁场成为 磁化强度M 的相对取向不同而发生变化，这种现象 影响器件质量的重要 因素．为 了减小薄膜退磁场， 被称为各向异性磁致电阻(AMR)效应，其微观机制 就需要减小薄膜厚度，但薄膜的AMR值会随着薄 为基于电子 自旋轨道耦合作用的自旋相关散射…． 膜厚度的减小而显著下降．Lee等[2-31报道了采用 AMR薄膜材料的优点是：工艺相对简单，热稳定性 NiFeCr合金作为缓冲层能沉积出性能更好的坡莫 和环境稳定性好 ；各种技术条件 已经非常成熟；更为 合金薄膜：当NiFe厚度为 12nm时，其各向异性磁 重要的是AMR薄膜能在硅基片上制备，并可直接 致电阻值仍可达到3．0％．所以选择适当的缓冲层 嵌入商业化集成电